SA555DR
|
|
Версия для печати
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус | 8-SOIC |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Ток выходной | 10mA |
| Напряжение питания | 4.5 V ~ 16 V |
| Частота | 500kHz |
| Тип | 555 Type, Timer/Oscillator (Single) |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequency | 500kHz |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2РМДТ27Б19Г5А1В |
|
2 188.00 | ||||||
| 2РМДТ27Б19Г5А1В |
|
2 188.00 | ||||||
| 2РМДТ27Б19Г5А1В | ЭЛЕКОН |
|
|
|||||
| 2РМДТ33Б32Ш5А1В |
|
|
||||||
| 2РМДТ33Б32Ш5А1В |
|
|
||||||
| 2РМДТ33Б32Ш5А1В | ЭЛЕКОН | 26 | 15 850.24 | |||||
| MC74HC164ADR2G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MC74HC164ADR2G |
|
66.96 | ||||||
| MC74HC164ADR2G | ONS |
|
|
|||||
| MC74HC164ADR2G | ON SEMICONDUCTOR | 256 |
|
|||||
| MC74HC164ADR2G | 4-7 НЕДЕЛЬ | 545 |
|
|||||
| MF200J0R5T | FAITHFUL LINK |
|
|
|||||
| TNY268GN |
|
Микросхема импульсный преобраз. энергии | PWR |
|
|
|||
| TNY268GN |
|
Микросхема импульсный преобраз. энергии | POWER INTEGRATIONS |
|
|
|||
| TNY268GN |
|
Микросхема импульсный преобраз. энергии |
|
185.88 | ||||
| TNY268GN |
|
Микросхема импульсный преобраз. энергии | POWER INTEGRATIONS |
|
|
|||
| TNY268GN |
|
Микросхема импульсный преобраз. энергии | КИТАЙ |
|
|
|||
| TNY268GN |
|
Микросхема импульсный преобраз. энергии | 4-7 НЕДЕЛЬ | 214 |
|
