LTC1294DCN
|
IC DATA ACQ SYSTEM 12BIT 20-DIP |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Тип | Data Acquisition System (DAS), ADC |
| Разрешение (Бит) | 12 b |
| Частота амплитудно-импульсной модуляции | 46.5k |
| Интерфейс подключения | Serial, Parallel |
| Напряжение питания источника | Dual ± |
| Напряжение питания | ±5V |
| Рабочая температура | 0°C ~ 70°C |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | 20-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Корпус | 20-PDIP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
91R1A-R22-A13L |
|
Bourns Inc |
|
|
|||
|
|
91R1A-R22-A13L |
|
|
|
||||
| BDP31 | PHILIPS |
|
|
|||||
| BDP31 | PHILIPS | 9 260 |
|
|||||
 |
|
PM6686TR |
|
STMicroelectronics |
|
|
||
|
|
|
PM6686TR |
|
|
|
|||
|
|
|
PM6686TR |
|
4-7 НЕДЕЛЬ | 672 |
|
||
 |
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W |
|
552.00 | ||
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W | Infineon Technologies |
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W | INFINEON TECH |
|
|
|
|
|
XTR115U |
|
ИМС 4-20мA SO8 | TEXAS INSTRUMENTS | 159 | 567.32 | ||
|
|
XTR115U |
|
ИМС 4-20мA SO8 | 2 | 481.00 | |||
|
|
XTR115U |
|
ИМС 4-20мA SO8 | BURR-BROWN |
|
|
||
|
|
XTR115U |
|
ИМС 4-20мA SO8 | TEXAS |
|
|
||
|
|
XTR115U |
|
ИМС 4-20мA SO8 | МАЛАЙЗИЯ |
|
|
||
|
|
XTR115U |
|
ИМС 4-20мA SO8 | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
||
|
|
XTR115U |
|
ИМС 4-20мA SO8 | TEXAS INSTRUMEN |
|
|
||
|
|
XTR115U |
|
ИМС 4-20мA SO8 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 429 |
|
