BDP31
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 100МКФ 250В (16Х32) 105°С |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 250В | CHANGZHOU HUA WEI ELECTRONICS |
|
|
|||
| 100МКФ 250В (16Х32) 105°С |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 250В |
|
72.00 | ||||
 |
91R1A-R22-A13L |
|
Bourns Inc |
|
|
|||
|
|
91R1A-R22-A13L |
|
|
|
||||
 |
|
PM6686TR |
|
STMicroelectronics |
|
|
||
|
|
|
PM6686TR |
|
|
|
|||
|
|
|
PM6686TR |
|
4-7 НЕДЕЛЬ | 672 |
|
||
 |
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W |
|
552.00 | ||
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W | Infineon Technologies |
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W | INFINEON TECH |
|
|
|
 |
К140УД1201 | КИЕВ |
|
|
||||
|
|
К140УД1201 | 4 | 96.00 | |||||
|
|
К140УД1201 | КВАЗАР |
|
|
||||
|
|
К140УД1201 | КОНТИНЕНТ |
|
|
||||
|
|
К140УД1201 | МИКРОМ | 67 | 543.68 | ||||
|
|
К140УД1201 | КАЛУГА |
|
|
||||
|
|
К140УД1201 | МИКРО М |
|
|
