BDP31
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
91R1A-R22-A13L |
|
Bourns Inc |
|
|
|||
|
|
91R1A-R22-A13L |
|
|
|
||||
 |
|
PM6686TR |
|
STMicroelectronics |
|
|
||
|
|
|
PM6686TR |
|
|
|
|||
|
|
|
PM6686TR |
|
4-7 НЕДЕЛЬ | 672 |
|
||
 |
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W |
|
552.00 | ||
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W | Infineon Technologies |
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W | INFINEON TECH |
|
|
|
 |
|
TC7106ACKW |
|
Microchip Technology |
|
|
||
|
|
XTR115U |
|
ИМС 4-20мA SO8 | TEXAS INSTRUMENTS | 159 | 301.29 | ||
|
|
XTR115U |
|
ИМС 4-20мA SO8 | 2 | 481.00 | |||
|
|
XTR115U |
|
ИМС 4-20мA SO8 | BURR-BROWN |
|
|
||
|
|
XTR115U |
|
ИМС 4-20мA SO8 | TEXAS |
|
|
||
|
|
XTR115U |
|
ИМС 4-20мA SO8 | МАЛАЙЗИЯ |
|
|
||
|
|
XTR115U |
|
ИМС 4-20мA SO8 | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
||
|
|
XTR115U |
|
ИМС 4-20мA SO8 | TEXAS INSTRUMEN |
|
|
||
|
|
XTR115U |
|
ИМС 4-20мA SO8 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 429 |
|
