LQH32CN2R2M23L

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
LQH32CN2R2M23L (MUR)	23 380	8.51

Версия для печати

Технические характеристики LQH32CN2R2M23L

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	LQH32C_23
Inductance	2.2µH
Current	600mA
Тип	Ferrite Core
Допустимые отклонения емкости	±20%
Tolerance	±20%
Shielding	Unshielded
DC Resistance (DCR)	169 mOhm Max
Self Resonant Freq	64MHz
Корпус (размер)	1210 (3225 Metric)
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Frequency - Test	1MHz
Material - Core	Ferrite
Сфера применения	Power Supplies

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
0603-LQW18A_0010NHJ		MURATA
GRM319R71H103KA01D	Керамический конденсатор 0.01 мкФ 50 В	MUR	7 195	2.28
GRM319R71H103KA01D	Керамический конденсатор 0.01 мкФ 50 В	Murata Electronics North America
GRM319R71H103KA01D	Керамический конденсатор 0.01 мкФ 50 В	MURATA
GRM319R71H103KA01D	Керамический конденсатор 0.01 мкФ 50 В
GRM319R71H103KA01D	Керамический конденсатор 0.01 мкФ 50 В	MURATA
IRF610	Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF610	Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	FAIR
IRF610	Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	HARRIS
IRF610	Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	INTERSIL
IRF610	Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	MOTOROLA
IRF610	Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	VISHAY
IRF610	Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	FAIRCHILD
IRF610	Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	FAIRCHILD
IRF610	Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	HARRIS
IRF610	Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	INTERSIL
IRF610	Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	MOTOROLA	6
IRF610	Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	Vishay/Siliconix
IRF610	Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	VISHAY/IR
IRF610	Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	SILICONIX
IRF610	Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	SAMSUNG
IRF610	Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W		4	114.66
LQH32CN100K23L	Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)	MURATA	1 600	8.95
LQH32CN100K23L	Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)	CHINA
LQH32CN100K23L	Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)			25.88
LQH32CN100K23L	Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)	MUR	40 348	8.11
LQH32CN100K23L	Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)	Murata Electronics North America
LQH32CN1R0M23L	Катушки индуктивности SMD	CHINA
LQH32CN1R0M23L	Катушки индуктивности SMD	MURATA	12	13.43
LQH32CN1R0M23L	Катушки индуктивности SMD	MUR	13 316	9.15
LQH32CN1R0M23L	Катушки индуктивности SMD			22.40
LQH32CN1R0M23L	Катушки индуктивности SMD	Murata Electronics North America