LQH32CN4R7M33L
Индуктивность чип на феррите 4.7мкГн, 20%, 650мА (1210)
|
Индуктивность чип на феррите |
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
Индуктивность чип на феррите 4.7мкГн, 20%, 650мА (1210)
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0603-LQW18A_0010NHJ | MURATA |
|
|
|||||
| BC850C/T1 | NXP |
|
|
|||||
| BC850C/T1 | NEXPERIA |
|
|
|||||
| BC850C/T1 | 0.00 |
|
|
|||||
 |
 |
BZV55-C9V1 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, 9,1В | NXP |
|
|
|
|
|
|
BZV55-C9V1 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, 9,1В | PHILIPS |
|
|
|
|
|
|
BZV55-C9V1 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, 9,1В | DC COMPONENTS | 46 165 | 2.79 | |
|
|
|
BZV55-C9V1 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, 9,1В | NXP | 2 400 |
|
|
|
|
|
BZV55-C9V1 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, 9,1В | PHILIPS | 12 494 |
|
|
|
|
|
BZV55-C9V1 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, 9,1В |
|
|
||
|
|
|
BZV55-C9V1 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, 9,1В | KEEN SIDE | 4 077 |
1.04 >100 шт. 0.52 |
|
| DG235-031-5,0 | 31 | 18.50 | ||||||
| LQH32CN100K23L |
|
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210) | MURATA |
|
|
|||
| LQH32CN100K23L |
|
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210) | CHINA |
|
|
|||
| LQH32CN100K23L |
|
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210) |
|
25.88 | ||||
| LQH32CN100K23L |
|
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210) | MUR | 36 614 | 5.03 | |||
| LQH32CN100K23L |
|
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210) | Murata Electronics North America |
|
|
