BTB16-800CWRG
Симистор 16A 800V 35mA
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | Snubberless™ |
| Triac Type | Alternistor - Snubberless |
| Тип монтажа | Выводной |
| Конфигурация | Single |
| Current - Hold (Ih) (Max) | 35mA |
| Voltage - Off State | 800V |
| Current - Gate Trigger (Igt) (Max) | 35mA |
| Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 160A, 168A |
| Current - On State (It (RMS)) (Max) | 16A |
| Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 1.3V |
| Корпус | TO-220AB |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 220МКФ 63 (10X19)105°C |
|
|
||||||
| DF04 ДИОДНЫЙ МОСТ |
|
|
||||||
| ICE3B0365J |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.3A, Pout=W | INFINEON |
|
|
|||
| ICE3B0365J |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.3A, Pout=W | 2 | 226.80 | ||||
| ICE3B0365J |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.3A, Pout=W | Infineon Technologies |
|
|
|||
| ICE3B0365J |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.3A, Pout=W | 1 |
|
|
|||
| ICE3B0365J |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.3A, Pout=W | 4-7 НЕДЕЛЬ | 134 |
|
|||
 |
TNY253P | PWR |
|
|
||||
|
|
TNY253P | POWER INTEGRATIONS |
|
|
||||
|
|
TNY253P | PI |
|
|
||||
|
|
TNY253P |
|
147.28 | |||||
|
|
TNY253P | POWER INTEGRATIONS |
|
|
||||
|
|
TNY253P | 1 |
|
|
||||
|
|
TNY253P | 4-7 НЕДЕЛЬ | 197 |
|
||||
 |
TNY254P | PWR |
|
|
||||
|
|
TNY254P | PI |
|
|
||||
|
|
TNY254P |
|
176.00 | |||||
|
|
TNY254P | Power Integrations |
|
|
||||
|
|
TNY254P | 4-7 НЕДЕЛЬ | 187 |
|
