Версия для печати
Технические характеристики IRFR024N

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	75 mOhm @ 10A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	17A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	20nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	370pF @ 25V
Power - Max	45W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

IRFR024N 55V Single N-channel HexFET Power MOSFET inA D-pak Package Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRFR024N datasheet 180.08Kb 10стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	FAI/QTC
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	LITE ON OPTOELECTRONICS
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	LIT	6 616	10.09
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	VISHAY
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	FAIR
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	COSMO
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	LITE-ON	752	14.46
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	QTC
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	AGILENT TECHNOLOGIES
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	FAIRCHILD	180	31.50
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	FAIRCHILD
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	LITE ON OPTOELECTRONICS
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	QT OPTOELECTRONICS
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	QTC COMPONENTS
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	Lite-On Inc
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	Vishay/Semiconductors
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	Fairchild Optoelectronics Group
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	Avago Technologies US Inc
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	ISOCOM
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	EVERLIGHT
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	EVLT
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	VISHAY	71
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	EVERLIGHT	780	25.20
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	FC
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	LTV
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	MOTOROLA
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В		865	44.40
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	EVERLLIGHT	5 520	23.76
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	ONS-FAIR
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	EL
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	TOS
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	КИТАЙ
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	YOUTAI	6 688	7.36
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	EVL	1 931	11.47
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	TOSHIBA	1	11.05
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	AVAGO	28	31.50
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	150
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	35
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	76
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	975
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PHILIPS
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	FAIR
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NXP	1 639	1.68
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DC COMPONENTS	45 950	1.63
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	ON SEMICONDUCTOR
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	MCC
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DIOTEC	3 024	1.68
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	INFINEON
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	FAIRCHILD
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	GALAXY
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	ONS
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	FAIRCHILD
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	INFINEON	240
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NXP	1 212
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PHILIPS	976
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	КИТАЙ
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	МАЛАЙЗИЯ
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	INFINEON TECH
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DI
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	KINGTRON
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц		29 852	1.52  >100 шт.   0.76
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	KEC
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DIODES
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PANJIT
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	GALAXY ME
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	HOTTECH	868 324	1.14  >500 шт.   0.38
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	LRC
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PH / NXP
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	KLS
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	YANGJIE (YJ)
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NEX-NXP	56 800	2.07
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	SEMTECH	3 026	1.09
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	YJ	763 009	1.58  >100 шт.   0.79
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PH/NXP
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	CTK	2 489	1.68
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	RUME
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	OLITECH ELECTRONICS
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	SUNTAN	1 120	1.04  >100 шт.   0.52
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	1
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NEXPERIA	453 625	1.03
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO	16	1.92  >100 шт.   0.96
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	XXW	508 487	1.20  >500 шт.   0.40
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	KEEN SIDE	2 840	1.17  >500 шт.   0.39
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	MERRYELC	46 640	1.12  >100 шт.   0.56
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	1999
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	2396
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	2771
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	3112
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	50
		IRF7341		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (55V, 4.7A, 2W)	INTERNATIONAL RECTIFIER	19	37.80
		IRF7341		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (55V, 4.7A, 2W)		1 888	22.83
		IRF7341		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (55V, 4.7A, 2W)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF7341		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (55V, 4.7A, 2W)	ФИЛИППИНЫ
		IRF7341		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (55V, 4.7A, 2W)	INFINEON
		IRF7341		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (55V, 4.7A, 2W)	SLKOR	5 877	19.17
		IRF7341		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (55V, 4.7A, 2W)	24
		IRFR9024N		P-канальный Полевой транзистор (Vds=-55V, Id=-11A@T=25C, Id=-8A@T=100C, Rds=0,175 R, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFR9024N		P-канальный Полевой транзистор (Vds=-55V, Id=-11A@T=25C, Id=-8A@T=100C, Rds=0,175 R, ...	RECTIFIER
		IRFR9024N		P-канальный Полевой транзистор (Vds=-55V, Id=-11A@T=25C, Id=-8A@T=100C, Rds=0,175 R, ...		9 292	12.80
		IRFR9024N		P-канальный Полевой транзистор (Vds=-55V, Id=-11A@T=25C, Id=-8A@T=100C, Rds=0,175 R, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFR9024N		P-канальный Полевой транзистор (Vds=-55V, Id=-11A@T=25C, Id=-8A@T=100C, Rds=0,175 R, ...	КИТАЙ
		IRFR9024N		P-канальный Полевой транзистор (Vds=-55V, Id=-11A@T=25C, Id=-8A@T=100C, Rds=0,175 R, ...	INFINEON
		IRFR9024N		P-канальный Полевой транзистор (Vds=-55V, Id=-11A@T=25C, Id=-8A@T=100C, Rds=0,175 R, ...	1
		IRFR9024N		P-канальный Полевой транзистор (Vds=-55V, Id=-11A@T=25C, Id=-8A@T=100C, Rds=0,175 R, ...	JSMICRO	5 222	12.16
		LM358DR			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM358DR			TEXAS INSTRUMENTS	123	8.45
		LM358DR				2 640	4.62
		LM358DR			TEXAS INSTRUMENTS
		LM358DR			Rohm Semiconductor
		LM358DR			PHILIPS
		LM358DR			ST MICROELECTRONICS
		LM358DR			TEXAS
		LM358DR			TEXAS INSTRUMEN
		LM358DR			TEXASINSTRUMENTS
		LM358DR			ТI
		LM358DR			4-7 НЕДЕЛЬ	63

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"