Версия для печати
Технические характеристики IRFR024N

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	75 mOhm @ 10A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	17A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	20nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	370pF @ 25V
Power - Max	45W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

IRFR024N 55V Single N-channel HexFET Power MOSFET inA D-pak Package Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRFR024N datasheet 180.08Kb 10стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	FAI/QTC
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	LITE ON OPTOELECTRONICS
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	LIT	11 897	13.06
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	VISHAY	1 148	32.82
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	FAIR
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	COSMO
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	LITE-ON	4 761	27.95
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	QTC
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	AGILENT TECHNOLOGIES
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	FAIRCHILD
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	FAIRCHILD
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	LITE ON OPTOELECTRONICS
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	QT OPTOELECTRONICS
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	QTC COMPONENTS
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	Lite-On Inc
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	Vishay/Semiconductors
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	Fairchild Optoelectronics Group
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	Avago Technologies US Inc
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	ISOCOM
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	EVERLIGHT
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	EVLT
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	VISHAY	71
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	EVERLIGHT	780	25.20
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	FC
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	LTV
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	MOTOROLA
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В		615	44.40
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	EVERLLIGHT	6 080	18.60
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	ONS-FAIR
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	EL
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	TOS
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	КИТАЙ
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	YOUTAI	6 033	10.14
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	EVL	1 249	11.58
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	TOSHIBA	1	18.51
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PHILIPS
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	FAIR
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NXP	200	1.68
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DC COMPONENTS	17 136	2.20
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	ON SEMICONDUCTOR
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	MCC
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DIOTEC	14 140	3.34
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	INFINEON
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	FAIRCHILD
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	GALAXY
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	ONS
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	FAIRCHILD
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	INFINEON	240
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NXP	1 212
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PHILIPS	976
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	КИТАЙ
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	МАЛАЙЗИЯ
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	INFINEON TECH
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DI
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	KINGTRON
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц		118 087	1.52  >100 шт.   0.76
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	KEC
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DIODES
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PANJIT
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	GALAXY ME
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	HOTTECH	844 065	1.08  >100 шт.   0.54
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	LRC
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PH / NXP
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	KLS
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	YANGJIE (YJ)
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NEX-NXP	70 400	2.07
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	SEMTECH	3 026	1.09
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	YJ	1 360 860	1.05
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PH/NXP
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	CTK	2 551	1.68
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	RUME
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	OLITECH ELECTRONICS
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	SUNTAN	114 187	1.36  >100 шт.   0.68
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	1
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NEXPERIA	519 550	1.16
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO	16	1.94  >100 шт.   0.97
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	XXW	528 360	1.28  >100 шт.   0.64
		IRF7341		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (55V, 4.7A, 2W)	INTERNATIONAL RECTIFIER	19	67.20
		IRF7341		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (55V, 4.7A, 2W)		1 888	26.09
		IRF7341		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (55V, 4.7A, 2W)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF7341		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (55V, 4.7A, 2W)	ФИЛИППИНЫ
		IRF7341		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (55V, 4.7A, 2W)	INFINEON
		IRF7341		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (55V, 4.7A, 2W)	SLKOR	3 903	15.57
		IRFR9024N		P-канальный Полевой транзистор (Vds=-55V, Id=-11A@T=25C, Id=-8A@T=100C, Rds=0,175 R, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFR9024N		P-канальный Полевой транзистор (Vds=-55V, Id=-11A@T=25C, Id=-8A@T=100C, Rds=0,175 R, ...	RECTIFIER
		IRFR9024N		P-канальный Полевой транзистор (Vds=-55V, Id=-11A@T=25C, Id=-8A@T=100C, Rds=0,175 R, ...		9 772	12.80
		IRFR9024N		P-канальный Полевой транзистор (Vds=-55V, Id=-11A@T=25C, Id=-8A@T=100C, Rds=0,175 R, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFR9024N		P-канальный Полевой транзистор (Vds=-55V, Id=-11A@T=25C, Id=-8A@T=100C, Rds=0,175 R, ...	КИТАЙ
		IRFR9024N		P-канальный Полевой транзистор (Vds=-55V, Id=-11A@T=25C, Id=-8A@T=100C, Rds=0,175 R, ...	INFINEON
		IRFR9024N		P-канальный Полевой транзистор (Vds=-55V, Id=-11A@T=25C, Id=-8A@T=100C, Rds=0,175 R, ...	1
		IRFR9024N		P-канальный Полевой транзистор (Vds=-55V, Id=-11A@T=25C, Id=-8A@T=100C, Rds=0,175 R, ...	JSMICRO	8 725	16.48
		LM358DR			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM358DR			TEXAS INSTRUMENTS	699	8.64
		LM358DR				9 600	4.62
		LM358DR			TEXAS INSTRUMENTS
		LM358DR			Rohm Semiconductor
		LM358DR			PHILIPS
		LM358DR			ST MICROELECTRONICS
		LM358DR			TEXAS	1 110	12.34
		LM358DR			TEXAS INSTRUMEN
		LM358DR			TEXASINSTRUMENTS
		LM358DR			ТI
		LM358DR			4-7 НЕДЕЛЬ	63

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"