|
Версия для печати
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 13.1A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | CoolMOS™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 20.7A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 114nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2400pF @ 25V |
| Power - Max | 208W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | PG-TO263-3 |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 40EPF06PBF | VISHAY |
|
|
|||||
| 40EPF06PBF | Vishay/Semiconductors |
|
|
|||||
|
|
GR443DR73D472KW01L |
|
Murata Electronics North America |
|
|
|||
|
|
GR443DR73D472KW01L |
|
|
|
||||
|
|
GR443DR73D472KW01L |
|
MUR | 7 451 | 19.67 | |||
|
|
GR443DR73D472KW01L |
|
MURATA |
|
|
|||
| GRM55DR72J224KW01L |
|
Керамический конденсатор 0.22 мкФ 630 В | MURATA | 1 920 | 31.00 | |||
| GRM55DR72J224KW01L |
|
Керамический конденсатор 0.22 мкФ 630 В | Murata Electronics North America |
|
|
|||
| GRM55DR72J224KW01L |
|
Керамический конденсатор 0.22 мкФ 630 В | MUR | 20 157 | 21.62 | |||
| GRM55DR72J224KW01L |
|
Керамический конденсатор 0.22 мкФ 630 В | 8 |
|
||||
| SSR-1 440V 25A (Z)D1 (4-16V) |
|
|
||||||
| STB11NM80T4 | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| STB11NM80T4 | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|||||
| STB11NM80T4 | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| STB11NM80T4 |
|
|