GRM55DR72J224KW01L

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
GRM55DR72J224KW01L (MURATA)	1 680	32.03
GRM55DR72J224KW01L (MUR)	135 784	15.01
GRM55DR72J224KW01L	8	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики GRM55DR72J224KW01L

Производитель	Murata Manufacturing Co., Ltd.
Количество в упаковке	1000 шт.
Вес	0.352 г
Допуск емкости	±10%
Номинальное постоянное напряжение	630 В
Тип диэлектрика	X7R
Рабочая температура	-55...125 °C
	Tin Plated Layer
Размер	5.7x5.0x2.0
Емкость	0.22 мкФ
Температурный коэфициент	X7R
Номинальное напряжение	630 В
Серия	GRM
Корпус (размер)	2220
Тип монтажа	Поверхностный
Тип	Керамический
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Допустимые отклонения емкости	±10%
Tolerance	±10%
Рабочая температура	-55°C ~ 125°C
Сфера применения	General Purpose
Size / Dimension	0.224" L x 0.197" W (5.70mm x 5.00mm)
Thickness	0.087" (2.20mm)
Возможности	High Voltage

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1.5SMC250A		DIOTEC
1.5SMC250A		Littelfuse Inc
1.5SMC250A
1.5SMC250A		LTL
2Т3117А/ПК АЕЯР.432140.247ТУ
IRFB18N50K	Транзистор полевой	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFB18N50K	Транзистор полевой	VISHAY
IRFB18N50K	Транзистор полевой		3	364.45
IRFB18N50K	Транзистор полевой	Vishay/Siliconix
LQH32CN100K23L	Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)	MURATA
LQH32CN100K23L	Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)	CHINA
LQH32CN100K23L	Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)			25.88
LQH32CN100K23L	Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)	MUR	59 900	5.93
LQH32CN100K23L	Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)	Murata Electronics North America
RC0603FR-0768KL		YAGEO	107 513	0.60 >1000 шт. 0.12
RC0603FR-0768KL		YAGEO
RC0603FR-0768KL