|
|
Версия для печати
| Производитель | Yageo Corporation |
| Допуск емкости | ±10% |
| Номинальное постоянное напряжение | 1 кВ |
| Тип диэлектрика | X7R |
| Рабочая температура | -55...125 °C |
| Multilayer chip capacitance | |
| Размер | 3.2x1.6x1.6 |
| Номинальное напряжение | 1 кВ |
| Температурный коэфициент | X7R |
| Емкость | 0.01 мкФ |
| Серия | CC_1206 |
| Корпус (размер) | 1206 |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип | Керамический |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ECW1J-B28-AC0024L | BOURNS |
|
|
|||||
| ECW1J-B28-AC0024L |
|
|
||||||
|
|
|
IRF9520S |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET (100В, 6.8А) | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
IRF9520S |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET (100В, 6.8А) | Vishay/Siliconix |
|
|
|
|
|
|
IRF9520S |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET (100В, 6.8А) | VISHAY/IR |
|
|
|
|
|
|
IRF9520S |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET (100В, 6.8А) |
|
|
||
| RC0805JR-07750R | YAGEO |
|
|
|||||
| STM8L152C6T6 | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| STM8L152C6T6 | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| STM8L152C6T6 | 172 | 192.57 | ||||||
| STM8L152C6T6 | КИТАЙ |
|
|
|||||
| STM8L152C6T6 | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|||||
| STM8L152C6T6 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 394 |
|
|||||
| YC124-JR-074K7L |
|
4.20 | ||||||
| YC124-JR-074K7L | Yageo | 100 665 |
0.69 >500 шт. 0.23 |