|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 850 mOhm @ 2.8A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.6A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 67nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V |
| Power - Max | 40W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 Full Pack, Isolated |
| Корпус | TO-220-3 |
|
IRFI840G (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2SA928 |
|
Биполярный транзистор PNP 30V, 2A, 0.75W | 555 | 10.60 | |||
| B32529-63В-0.22МКФM | EPCOS |
|
|
|||||
| B32529-63В-1МКФK | EPCOS |
|
|
|||||
| B32529-63В-1МКФK | TDK (EPCOS) |
|
|
|||||
|
|
|
IR2153 |
|
Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A | INTERNATIONAL RECTIFIER | 8 | 160.06 | |
|
|
|
IR2153 |
|
Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A | 2 | 267.12 | ||
|
|
|
IR2153 |
|
Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A | ТАИЛАНД |
|
|
|
|
|
|
IR2153 |
|
Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
IR2153 |
|
Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A | 1 |
|
|
|
|
|
|
IR2153 |
|
Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A | 4-7 НЕДЕЛЬ | 735 |
|
|
|
|
|
IRF1010N |
|
Транзистор полевой N-MOS 55V, 72A, 130W | INTERNATIONAL RECTIFIER | 400 | 144.45 | |
|
|
|
IRF1010N |
|
Транзистор полевой N-MOS 55V, 72A, 130W |
|
93.68 | ||
|
|
|
IRF1010N |
|
Транзистор полевой N-MOS 55V, 72A, 130W | INFINEON |
|
|