B32529-63В-0.22МКФM

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
AD826AN	Сдвоенный операционный усилитель быстродейств: 50 МГц, 350В/мкС, Iвых=50мАх2	ANALOG DEVICES	4	628.54
AD826AN	Сдвоенный операционный усилитель быстродейств: 50 МГц, 350В/мкС, Iвых=50мАх2			560.00
AD826AN	Сдвоенный операционный усилитель быстродейств: 50 МГц, 350В/мкС, Iвых=50мАх2	4-7 НЕДЕЛЬ	365
B32529-63В-1МКФK		EPCOS
B32529-63В-1МКФK		TDK (EPCOS)
IRFB23N20D	Силовой МOSFET транзистор с дискретным N-каналом	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFB23N20D	Силовой МOSFET транзистор с дискретным N-каналом			260.00
IRFB23N20D	Силовой МOSFET транзистор с дискретным N-каналом	INFINEON
IRFP250N	Транзистор полевой	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFP250N	Транзистор полевой	RECTIFIER
IRFP250N	Транзистор полевой		336	73.04
IRFP250N	Транзистор полевой	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFP250N	Транзистор полевой	МЕКСИКА
IRFP250N	Транзистор полевой	INFINEON
IRFP250N	Транзистор полевой	JSMICRO	515	53.10
КД2999А	Кремниевый диод большой мощности 200В, 20А, 100 кГц, 0,2мкс		53	69.92
КД2999А	Кремниевый диод большой мощности 200В, 20А, 100 кГц, 0,2мкс	ФОТОН
КД2999А	Кремниевый диод большой мощности 200В, 20А, 100 кГц, 0,2мкс	СЗТП	4	351.36
КД2999А	Кремниевый диод большой мощности 200В, 20А, 100 кГц, 0,2мкс	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО