B32529-63В-1МКФK
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| B32520-400В-0.068МКФJ | EPCOS |
|
|
|||||
| B32520-400В-0.068МКФJ | TDK (EPCOS) |
|
|
|||||
| B32529-100В-0.001МКФJ | EPCOS |
|
|
|||||
| B32529-63В-0.033МКФK | EPCOS |
|
|
|||||
 |
CRCW080510K0FKEA |
|
Резистор -чип 0805, 10кОм, 1%, 0,125 Вт | VISHAY |
|
|
||
|
|
CRCW080510K0FKEA |
|
Резистор -чип 0805, 10кОм, 1%, 0,125 Вт | 320 | 10.00 | |||
|
|
CRCW080510K0FKEA |
|
Резистор -чип 0805, 10кОм, 1%, 0,125 Вт | VISHAY | 7 741 |
|
||
|
|
CRCW080510K0FKEA |
|
Резистор -чип 0805, 10кОм, 1%, 0,125 Вт | Vishay/Dale |
|
|
||
 |
 |
IRFB23N20D |
|
Силовой МOSFET транзистор с дискретным N-каналом | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRFB23N20D |
|
Силовой МOSFET транзистор с дискретным N-каналом |
|
260.00 | ||
|
|
|
IRFB23N20D |
|
Силовой МOSFET транзистор с дискретным N-каналом | INFINEON |
|
|
