| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 8A |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V (1kV) |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100µA @ 1000V |
| Diode Type | Standard |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 100ns |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-2 |
| Корпус | TO-220AC |
| Product Change Notification | LTB Notification 08/Jan/2008 |
| Серия | SWITCHMODE™ |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N2907A |
|
Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz
|
|
|
90.40
|
|
|
|
2N2907A |
|
Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2N2907A |
|
Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz
|
SOLID STATE DEVICES
|
|
|
|
|
|
2N2907A |
|
Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N2907A |
|
Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz
|
CENTRAL SEMI
|
|
|
|
|
|
2N2907A |
|
Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz
|
CENTRAL SEMI
|
|
|
|
|
|
2N2907A |
|
Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
9
|
|
|
|
|
2N2907A |
|
Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz
|
SIGNETICS
|
|
|
|
|
|
2N2907A |
|
Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
2N2907A |
|
Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz
|
Micro Commercial Co
|
|
|
|
|
|
2N2907A |
|
Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz
|
ГЕРМАНИЯ
|
|
|
|
|
|
2N2907A |
|
Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz
|
CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
|
|
|
|
|
|
2N2907A |
|
Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2N2907A |
|
Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz
|
ONS
|
|
|
|
|
|
2N2907A |
|
Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
2N2907A |
|
Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz
|
КИТАЙ
|
176
|
10.50
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
|
2 884
|
13.13
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
476
|
14.46
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ИНДИЯ
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
PILIPINES
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST1
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
CHANGJIANG
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
HOTTECH
|
72
|
3.86
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
JSCJ
|
23 694
|
6.24
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
1
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ИМОРТ
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
RUME
|
438
|
3.69
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
TRR
|
7 200
|
3.79
|
|
|
|
IRLL110PBF |
|
Транзистор полевой SMD 100В, 1.5А, 540мОм, 2Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRLL110PBF |
|
Транзистор полевой SMD 100В, 1.5А, 540мОм, 2Вт
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRLL110PBF |
|
Транзистор полевой SMD 100В, 1.5А, 540мОм, 2Вт
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
IRLL110PBF |
|
Транзистор полевой SMD 100В, 1.5А, 540мОм, 2Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLL110PBF |
|
Транзистор полевой SMD 100В, 1.5А, 540мОм, 2Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLL110PBF |
|
Транзистор полевой SMD 100В, 1.5А, 540мОм, 2Вт
|
|
|
|
|
|
|
LM135 |
|
Прецизионный датчик температуры
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
UTC
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIOTEC
|
21 503
|
2.42
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
JIANGSU CHANJIANG ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
NXP
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
MCC
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIODES INC.
|
16
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
FAIRCHILD
|
48
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
|
43 560
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
KLS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
HOTTECH
|
68
|
1.84
>100 шт. 0.92
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
YJ
|
16 508
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
JSCJ
|
23 180
|
1.72
>100 шт. 0.86
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
ASEMI
|
8 331
|
1.32
>100 шт. 0.66
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
KEEN SIDE
|
7 722
|
1.74
>100 шт. 0.87
|
|