| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
1
|
9.89
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC
|
245 510
|
2.20
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DC COMPONENTS
|
46 662
|
2.62
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
|
47 671
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
325
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
4 345
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
27 200
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
3 467
|
1.70
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
INFINEON
|
800
|
5.47
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECH
|
666 196
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ARK
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KLS
|
426
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NEXPERIA
|
95 404
|
1.08
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SEMTECH
|
220
|
1.23
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PJ
|
3 150
|
1.92
>100 шт. 0.96
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE
|
1 602 214
|
0.90
>500 шт. 0.30
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YJ
|
595 876
|
1.59
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JSCJ
|
136 996
|
1.72
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR
|
276 000
|
1.32
>500 шт. 0.44
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SUNTAN
|
515
|
1.11
>500 шт. 0.37
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JINGDAO
|
8 384
|
1.02
>500 шт. 0.34
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECCN
|
1 710
|
1.70
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
CJ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEEN SIDE
|
177 388
|
1.08
>500 шт. 0.36
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
2138
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
4334
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ASEMI
|
151 703
|
1.20
>500 шт. 0.40
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
19480
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
22054
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
643
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
1054
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
543
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGZHOUYANGJIEEL
|
594 400
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
|
64 863
|
1.84
>100 шт. 0.92
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
DC COMPONENTS
|
1 552
|
2.83
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
NXP
|
24
|
1.70
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
DIOTEC
|
897
|
3.28
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
1 230
|
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
NXP
|
18 568
|
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
HOTTECH
|
35 514
|
1.26
>500 шт. 0.42
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
YJ
|
552 461
|
1.03
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
SUNTAN
|
432
|
1.55
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
KEEN SIDE
|
14 480
|
1.22
>100 шт. 0.61
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
MERRYELC
|
|
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
30
|
|
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
22400
|
|
|
|
|
|
BLD-4 |
|
Розетка на кабель с 4 контактами из фосфоритной бронзы с покрытием золото , 2.54мм
|
HSUAN MAO
|
|
|
|
|
|
BLD-4 |
|
Розетка на кабель с 4 контактами из фосфоритной бронзы с покрытием золото , 2.54мм
|
BM
|
|
|
|
|
|
BLD-4 |
|
Розетка на кабель с 4 контактами из фосфоритной бронзы с покрытием золото , 2.54мм
|
|
181
|
18.50
|
|
|
|
BLD-4 |
|
Розетка на кабель с 4 контактами из фосфоритной бронзы с покрытием золото , 2.54мм
|
KLS
|
7 920
|
1.17
>500 шт. 0.39
|
|
|
|
BLD-4 |
|
Розетка на кабель с 4 контактами из фосфоритной бронзы с покрытием золото , 2.54мм
|
NXU
|
1 120
|
8.27
|
|
|
|
BLD-4 |
|
Розетка на кабель с 4 контактами из фосфоритной бронзы с покрытием золото , 2.54мм
|
CONNFLY
|
1
|
3.10
|
|
|
|
BLD-4 |
|
Розетка на кабель с 4 контактами из фосфоритной бронзы с покрытием золото , 2.54мм
|
9900
|
|
|
|
|
|
IRFI1010NPBF |
|
Транзистор N-Канальный 55V 49A 58W 0,012R
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFI1010NPBF |
|
Транзистор N-Канальный 55V 49A 58W 0,012R
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRFI1010NPBF |
|
Транзистор N-Канальный 55V 49A 58W 0,012R
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6302 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6302 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
|
|
13.76
|
|
|
|
IRLML6302 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
IRLML6302 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML6302 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
HOTTECH
|
114 393
|
3.51
|
|
|
|
IRLML6302 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML6302 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
SUNTAN
|
19 040
|
3.69
|
|
|
|
IRLML6302 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
KEENSIDE
|
4 193
|
1.85
|
|
|
|
IRLML6302 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
YOUTAI
|
32 567
|
5.31
|
|
|
|
IRLML6302 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
KEEN SIDE
|
14 144
|
2.01
|
|
|
|
IRLML6302 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
1962
|
|
|
|