IRLL110
Транзистор полевой SMD 100В, 1.5А, 540мОм, 2Вт
|
Транзистор полевой SMD |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540 mOhm @ 900mA, 5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 6.1nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 250pF @ 25V |
| Power - Max | 2W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
| Корпус | SOT-223 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRLL110 (N-канальные транзисторные модули) Power Mosfet
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
0805 1КОМ 5% |
|
Чип-резистор 1кОм, 5%, 0.125 Вт, 150В | MASTER CHIP |
|
|
||
|
|
0805 1КОМ 5% |
|
Чип-резистор 1кОм, 5%, 0.125 Вт, 150В |
|
|
|||
| 0805 200 КОМ 5% | ELZET |
|
|
|||||
 |
0805-6.8K 5% |
|
ЧИП — резистор 6.8кОм, 5%, 0.125Вт | 144 |
1.20 >500 шт. 0.40 |
|||
 |
BYV26C-TAP |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 30ns | NXP |
|
|
||
|
|
BYV26C-TAP |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 30ns | VISHAY |
|
|
||
|
|
BYV26C-TAP |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 30ns | 1 235 | 31.45 | |||
 |
 |
L-602G |
|
Светодиод с держателем |
|
60.00 | ||
|
|
|
L-602G |
|
Светодиод с держателем | CPU |
|
|
