| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 35V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 630mV @ 16A |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Current - Average Rectified (Io) | 16A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 200µA @ 35V |
| Diode Type | Schottky |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Capacitance @ Vr, F | 450pF @ 4V, 1MHz |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-2 |
| Корпус | TO-220AC |
| Product Change Notification | Product Discontinuation 27/Jun/2007 |
| Серия | SWITCHMODE™ |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
MBR3060CT |
|
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
MBR3060CT |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
MBR3060CT |
|
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
|
MBR3060CT |
|
|
YJ
|
921
|
16.40
|
|
|
|
MOC8103 |
|
Оптопара с транзисторным выходом (5.3kV, 60mA)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
MOC8103 |
|
Оптопара с транзисторным выходом (5.3kV, 60mA)
|
ISOCOM
|
|
|
|
|
|
MOC8103 |
|
Оптопара с транзисторным выходом (5.3kV, 60mA)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
MOC8103 |
|
Оптопара с транзисторным выходом (5.3kV, 60mA)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MOC8103 |
|
Оптопара с транзисторным выходом (5.3kV, 60mA)
|
|
72
|
66.60
|
|
|
|
MOC8103 |
|
Оптопара с транзисторным выходом (5.3kV, 60mA)
|
FAIRCHILD
|
36
|
|
|
|
|
MOC8103 |
|
Оптопара с транзисторным выходом (5.3kV, 60mA)
|
ISOCOM
|
|
|
|
|
|
MOC8103 |
|
Оптопара с транзисторным выходом (5.3kV, 60mA)
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
MOC8103 |
|
Оптопара с транзисторным выходом (5.3kV, 60mA)
|
Fairchild Optoelectronics Group
|
|
|
|
|
|
MOC8103 |
|
Оптопара с транзисторным выходом (5.3kV, 60mA)
|
ISOCOM COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
MOC8103 |
|
Оптопара с транзисторным выходом (5.3kV, 60mA)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MOC8103 |
|
Оптопара с транзисторным выходом (5.3kV, 60mA)
|
VISHAY
|
11
|
28.03
|
|
|
|
MOC8103 |
|
Оптопара с транзисторным выходом (5.3kV, 60mA)
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
724
|
|
|
|
|
|
MUR120 |
|
Диод
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
MUR120 |
|
Диод
|
ON SEMICONDUCTOR
|
206
|
4.24
|
|
|
|
|
MUR120 |
|
Диод
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
MUR120 |
|
Диод
|
|
13 984
|
4.01
|
|
|
|
|
MUR120 |
|
Диод
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
MUR120 |
|
Диод
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MUR120 |
|
Диод
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
|
MUR120 |
|
Диод
|
YJ
|
15 089
|
3.85
|
|
|
|
|
MUR120 |
|
Диод
|
WUXI XUYANG
|
3 360
|
3.48
|
|
|
|
|
MUR120 |
|
Диод
|
SENOCN
|
146
|
12.00
|
|
|
|
|
MUR120 |
|
Диод
|
SUNMATE
|
2 760
|
1.94
|
|
|
|
|
MUR120 |
|
Диод
|
HOTTECH
|
3 600
|
4.42
|
|
|
|
КД2997В |
|
Кремниевый диод большой мощности 50В, 100А, 100 кГц, 0,2мкс
|
|
10
|
238.14
|
|
|
|
КД2997В |
|
Кремниевый диод большой мощности 50В, 100А, 100 кГц, 0,2мкс
|
ФОТОН
|
|
|
|
|
|
КД2997В |
|
Кремниевый диод большой мощности 50В, 100А, 100 кГц, 0,2мкс
|
СЗТП
|
9
|
308.42
|
|
|
|
КД2997В |
|
Кремниевый диод большой мощности 50В, 100А, 100 кГц, 0,2мкс
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
|
1 029
|
14.72
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
14.05
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
ПЛАНЕТА
|
1 404
|
10.15
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
БРЯНСК
|
2 505
|
17.17
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
МИНСК
|
1 720
|
16.54
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
ЭЛЕКС
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
КРЕМНИЙ ЭЛ
|
1
|
4.55
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
132
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
2150
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
3000
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
765
|
|
|
|