| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
|
|
58.80
|
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
СЕВЕРНАЯ КОРЕЯ
|
|
|
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
КОРЕЯ, НАРОДНО-
|
|
|
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
|
|
|
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
HGSEMI
|
|
|
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
ISC
|
857
|
79.86
|
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
176
|
|
|
|
|
MBR1635 |
|
Диод Шоттки (U=35V, I=16A, Vf=0.63V@I=16A&T=25C, Vf=0.57V@I=16A&T=125C, -65 to +150C)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
MBR1635 |
|
Диод Шоттки (U=35V, I=16A, Vf=0.63V@I=16A&T=25C, Vf=0.57V@I=16A&T=125C, -65 to +150C)
|
|
|
|
|
|
|
MBR1635 |
|
Диод Шоттки (U=35V, I=16A, Vf=0.63V@I=16A&T=25C, Vf=0.57V@I=16A&T=125C, -65 to +150C)
|
ВОРОНЕЖСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
MBR1635 |
|
Диод Шоттки (U=35V, I=16A, Vf=0.63V@I=16A&T=25C, Vf=0.57V@I=16A&T=125C, -65 to +150C)
|
DIODES INC.
|
|
|
|
|
|
MBR1635 |
|
Диод Шоттки (U=35V, I=16A, Vf=0.63V@I=16A&T=25C, Vf=0.57V@I=16A&T=125C, -65 to +150C)
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
MBR1635 |
|
Диод Шоттки (U=35V, I=16A, Vf=0.63V@I=16A&T=25C, Vf=0.57V@I=16A&T=125C, -65 to +150C)
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
MBR1635 |
|
Диод Шоттки (U=35V, I=16A, Vf=0.63V@I=16A&T=25C, Vf=0.57V@I=16A&T=125C, -65 to +150C)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
MBR1635 |
|
Диод Шоттки (U=35V, I=16A, Vf=0.63V@I=16A&T=25C, Vf=0.57V@I=16A&T=125C, -65 to +150C)
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
MBR1635 |
|
Диод Шоттки (U=35V, I=16A, Vf=0.63V@I=16A&T=25C, Vf=0.57V@I=16A&T=125C, -65 to +150C)
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
MBR1635 |
|
Диод Шоттки (U=35V, I=16A, Vf=0.63V@I=16A&T=25C, Vf=0.57V@I=16A&T=125C, -65 to +150C)
|
ВЗПП
|
80
|
60.90
|
|
|
|
|
MUR120 |
|
Диод
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
MUR120 |
|
Диод
|
ON SEMICONDUCTOR
|
206
|
4.24
|
|
|
|
|
MUR120 |
|
Диод
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
MUR120 |
|
Диод
|
|
13 984
|
4.01
|
|
|
|
|
MUR120 |
|
Диод
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
MUR120 |
|
Диод
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MUR120 |
|
Диод
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
|
MUR120 |
|
Диод
|
YJ
|
15 048
|
4.12
|
|
|
|
|
MUR120 |
|
Диод
|
WUXI XUYANG
|
3 120
|
3.40
|
|
|
|
|
MUR120 |
|
Диод
|
SENOCN
|
146
|
12.00
|
|
|
|
|
MUR120 |
|
Диод
|
SUNMATE
|
2 374
|
1.90
|
|
|
|
|
MUR120 |
|
Диод
|
HOTTECH
|
3 040
|
4.32
|
|
|
|
PC817B |
|
Оптрон 5kV, 35V, 50mA >50%
|
SHARP
|
|
|
|
|
|
PC817B |
|
Оптрон 5kV, 35V, 50mA >50%
|
SHARP
|
26
|
|
|
|
|
PC817B |
|
Оптрон 5kV, 35V, 50mA >50%
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
PC817B |
|
Оптрон 5kV, 35V, 50mA >50%
|
|
6 401
|
2.49
|
|
|
|
PC817B |
|
Оптрон 5kV, 35V, 50mA >50%
|
YOUTAI
|
464
|
2.51
|
|
|
|
PC817B |
|
Оптрон 5kV, 35V, 50mA >50%
|
SLKOR
|
318
|
8.48
|
|
|
|
PC817B |
|
Оптрон 5kV, 35V, 50mA >50%
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
111
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
|
789
|
14.72
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
14.05
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
ПЛАНЕТА
|
1 404
|
10.15
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
БРЯНСК
|
2 505
|
98 162.36
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
МИНСК
|
1 720
|
62 334.36
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
ЭЛЕКС
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
КРЕМНИЙ ЭЛ
|
1
|
4.55
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
132
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
2150
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
3000
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
765
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
1
|
|
|
|