| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
11DQ10 |
|
Диод Шоттки (U=100V, I=1.1A, Vf=0.85V@I=1.0A, Vf=0.96V@I=2.0A, -40 to +150C).
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
11DQ10 |
|
Диод Шоттки (U=100V, I=1.1A, Vf=0.85V@I=1.0A, Vf=0.96V@I=2.0A, -40 to +150C).
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
11DQ10 |
|
Диод Шоттки (U=100V, I=1.1A, Vf=0.85V@I=1.0A, Vf=0.96V@I=2.0A, -40 to +150C).
|
EIC
|
82
|
7.96
|
|
|
|
|
11DQ10 |
|
Диод Шоттки (U=100V, I=1.1A, Vf=0.85V@I=1.0A, Vf=0.96V@I=2.0A, -40 to +150C).
|
|
5
|
18.50
|
|
|
|
|
11DQ10 |
|
Диод Шоттки (U=100V, I=1.1A, Vf=0.85V@I=1.0A, Vf=0.96V@I=2.0A, -40 to +150C).
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
|
11DQ10 |
|
Диод Шоттки (U=100V, I=1.1A, Vf=0.85V@I=1.0A, Vf=0.96V@I=2.0A, -40 to +150C).
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
7906CD2 (L7906CD2) |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
MUR120 |
|
Диод
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
MUR120 |
|
Диод
|
ON SEMICONDUCTOR
|
206
|
4.20
|
|
|
|
|
MUR120 |
|
Диод
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
MUR120 |
|
Диод
|
|
14 064
|
4.01
|
|
|
|
|
MUR120 |
|
Диод
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
MUR120 |
|
Диод
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MUR120 |
|
Диод
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
|
MUR120 |
|
Диод
|
YJ
|
15 249
|
3.80
|
|
|
|
|
MUR120 |
|
Диод
|
WUXI XUYANG
|
3 160
|
3.53
|
|
|
|
|
MUR120 |
|
Диод
|
SENOCN
|
146
|
12.00
|
|
|
|
|
MUR120 |
|
Диод
|
SUNMATE
|
3 320
|
1.97
|
|
|
|
|
MUR120 |
|
Диод
|
HOTTECH
|
3 080
|
4.49
|
|
|
|
|
TLP521-1GR[F] |
|
Оптрон с транзисторным выходом 1xCh 2,5kV Uceo=55V If= 70mA CTRmax/min=50/600%
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
|
TLP521-1GR[F] |
|
Оптрон с транзисторным выходом 1xCh 2,5kV Uceo=55V If= 70mA CTRmax/min=50/600%
|
|
|
12.40
|
|
|
|
|
TLP521-1GR[F] |
|
Оптрон с транзисторным выходом 1xCh 2,5kV Uceo=55V If= 70mA CTRmax/min=50/600%
|
TOS
|
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
|
1 029
|
14.72
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
14.05
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
ПЛАНЕТА
|
1 412
|
10.15
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
БРЯНСК
|
2 505
|
17.01
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
МИНСК
|
1 720
|
16.38
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
ЭЛЕКС
|
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
КРЕМНИЙ ЭЛ
|
1
|
4.55
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
132
|
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
2150
|
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
3000
|
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
765
|
|
|
|
Версия для печати
