STPS10150CG-TR

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
STPS10150CG-TR (ST MICROELECTRONICS SEMI.)	86	3-4 недели Цена по запросу

DIODE SCHOTTKY 2X5A 150V D2PAK

Версия для печати

Технические характеристики STPS10150CG-TR

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	920mV @ 5A
Current - Reverse Leakage @ Vr	2µA @ 150V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)	5A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	150V
Diode Type	Schottky
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration	1 Pair Common Cathode
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STPS10150CG-TR datasheet

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
AT29C512-120TC		ATMEL
AT29C512-120TC
AT89C51-20PI		ATMEL
AT89C51-20PI				320.00
AT89C51-20PI		4-7 НЕДЕЛЬ	691
P89C60X2BA		PHILIPS
P89C60X2BA				2 004.80
P89C60X2BA		PHILIPS
P89C60X2BA		4-7 НЕДЕЛЬ	165
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	WINBOND	352	351.29
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	WIN
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	Winbond Electronics
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	NO NAME
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс			141.80
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	4-7 НЕДЕЛЬ	1 257
W27E010-12		WINBOND
W27E010-12		WINBOND