BC857BT116
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 210 @ 2mA, 5V |
| Power - Max | 350mW |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SST3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AT29C512-120TC | ATMEL |
|
|
|||||
| AT29C512-120TC |
|
|
||||||
 |
AT89C51-20PI | ATMEL |
|
|
||||
|
|
AT89C51-20PI |
|
320.00 | |||||
|
|
AT89C51-20PI | 4-7 НЕДЕЛЬ | 691 |
|
||||
| RSMF1JT1R00 | STACKPOLE ELECTRONICS |
|
|
|||||
| RSMF1JT1R00 | STACKPOLE ELECTRONICS INC. | 825 |
|
|||||
| RSMF1JT1R00 | Stackpole Electronics Inc |
|
|
|||||
| RSMF1JT1R00 |
|
|
||||||
 |
 |
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс | WINBOND | 280 | 351.29 | |
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс | WIN |
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс | Winbond Electronics |
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс |
|
|
||
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс | NO NAME |
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс |
|
141.80 | ||
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс | 4-7 НЕДЕЛЬ | 1 257 |
|
|
| W27E010-12 | WINBOND |
|
|
|||||
| W27E010-12 | WINBOND |
|
|
