GBJ2008-F
|
RECT BRIDGE GPP 800V 20A GBJ |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Peak Reverse (Max) | 800V |
| Current - DC Forward (If) | 20A |
| Diode Type | Single Phase |
| Скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | GBJ |
| Корпус | GBJ |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
FGA25N120ANTD |
|
IGBT транзистор 312Вт, 1,2кВ, 50А | FAIR |
|
|
|
|
|
|
FGA25N120ANTD |
|
IGBT транзистор 312Вт, 1,2кВ, 50А | FSC |
|
|
|
|
|
|
FGA25N120ANTD |
|
IGBT транзистор 312Вт, 1,2кВ, 50А |
|
480.00 | ||
|
|
|
FGA25N120ANTD |
|
IGBT транзистор 312Вт, 1,2кВ, 50А | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
FGA25N120ANTD |
|
IGBT транзистор 312Вт, 1,2кВ, 50А | FSC1 |
|
|
