|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2W10M |
|
Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
2W10M |
|
Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...
|
YJ
|
|
|
|
|
|
2W10M |
|
Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...
|
|
351
|
24.05
|
|
|
|
2W10M |
|
Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...
|
MIC
|
7 958
|
8.86
|
|
|
|
2W10M |
|
Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
2W10M |
|
Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2W10M |
|
Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
2W10M |
|
Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...
|
HOTTECH
|
4 043
|
7.25
|
|
|
|
2W10M |
|
Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...
|
YIXING
|
4 000
|
8.14
|
|
|
|
2W10M |
|
Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...
|
BO
|
1 304
|
6.93
|
|
|
|
2W10M |
|
Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...
|
TRR
|
2 400
|
7.33
|
|
|
|
BC639 |
|
Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
|
|
6.36
|
|
|
|
BC639 |
|
Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC639 |
|
Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC639 |
|
Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC639 |
|
Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC639 |
|
Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC639 |
|
Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
UNKNOWN
|
|
|
|
|
|
BC639 |
|
Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC639 |
|
Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC639 |
|
Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
ON SEMICONDUCTOR
|
2 416
|
|
|
|
|
BC639 |
|
Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
PHILIPS
|
152
|
|
|
|
|
BC639 |
|
Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BC639 |
|
Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
BC639 |
|
Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BC639 |
|
Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
BC639 |
|
Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BC639 |
|
Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
HOTTECH
|
3 600
|
5.17
|
|
|
|
BC639 |
|
Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
JSCJ
|
4 398
|
2.01
|
|
|
|
CC0805KRX7R9BB273 |
|
Керамический конденсатор 0.027 мкФ 50 В
|
YAGEO
|
47 690
|
1.14
>500 шт. 0.38
|
|
|
|
CC0805KRX7R9BB273 |
|
Керамический конденсатор 0.027 мкФ 50 В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
CC0805KRX7R9BB273 |
|
Керамический конденсатор 0.027 мкФ 50 В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
CC0805KRX7R9BB273 |
|
Керамический конденсатор 0.027 мкФ 50 В
|
|
|
|
|
|
|
CC0805ZRY5V9BB103 |
|
Керамический конденсатор 0.01мкФ, 50 В
|
YAGEO
|
30 024
|
1.23
>500 шт. 0.41
|
|
|
|
CC0805ZRY5V9BB103 |
|
Керамический конденсатор 0.01мкФ, 50 В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
CC0805ZRY5V9BB103 |
|
Керамический конденсатор 0.01мкФ, 50 В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
CC0805ZRY5V9BB103 |
|
Керамический конденсатор 0.01мкФ, 50 В
|
|
|
|
|
|
|
LM317HVT |
|
Микросхема регулир. стабилиз. напряж 1,2
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM317HVT |
|
Микросхема регулир. стабилиз. напряж 1,2
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM317HVT |
|
Микросхема регулир. стабилиз. напряж 1,2
|
|
|
158.28
|
|
|
|
LM317HVT |
|
Микросхема регулир. стабилиз. напряж 1,2
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM317HVT |
|
Микросхема регулир. стабилиз. напряж 1,2
|
ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
|
|
|
|
|
|
LM317HVT |
|
Микросхема регулир. стабилиз. напряж 1,2
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM317HVT |
|
Микросхема регулир. стабилиз. напряж 1,2
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM317HVT |
|
Микросхема регулир. стабилиз. напряж 1,2
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
194
|
|
|