| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 16A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 250V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 4V @ 3.2A, 16A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 15 @ 8A, 4V |
| Power - Max | 250W |
| Frequency - Transition | 4MHz |
| Тип монтажа | Шасси |
| Корпус (размер) | TO-204AA, TO-3 (2 Leads + case) |
| Корпус | TO-3 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
2N3440 |
|
Транзистор S-N, ВID/S (300В, 1A, TO5)
|
|
|
84.00
|
|
|
|
|
2N3440 |
|
Транзистор S-N, ВID/S (300В, 1A, TO5)
|
CDIL
|
|
|
|
|
|
|
2N3440 |
|
Транзистор S-N, ВID/S (300В, 1A, TO5)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
2N3440 |
|
Транзистор S-N, ВID/S (300В, 1A, TO5)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
2N3440 |
|
Транзистор S-N, ВID/S (300В, 1A, TO5)
|
MOT
|
|
|
|
|
|
|
2N3440 |
|
Транзистор S-N, ВID/S (300В, 1A, TO5)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
2N3440 |
|
Транзистор S-N, ВID/S (300В, 1A, TO5)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
2N3440 |
|
Транзистор S-N, ВID/S (300В, 1A, TO5)
|
NTE
|
|
|
|
|
|
|
2N3440 |
|
Транзистор S-N, ВID/S (300В, 1A, TO5)
|
ISC
|
840
|
14.45
|
|
|
|
H11D1 |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso_peak=7.5kV, Uceo=300V, CurTr(min)=20%10mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
H11D1 |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso_peak=7.5kV, Uceo=300V, CurTr(min)=20%10mA
|
QT OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
H11D1 |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso_peak=7.5kV, Uceo=300V, CurTr(min)=20%10mA
|
|
|
56.96
|
|
|
|
H11D1 |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso_peak=7.5kV, Uceo=300V, CurTr(min)=20%10mA
|
QT OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
H11D1 |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso_peak=7.5kV, Uceo=300V, CurTr(min)=20%10mA
|
Lite-On Inc
|
|
|
|
|
|
H11D1 |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso_peak=7.5kV, Uceo=300V, CurTr(min)=20%10mA
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
H11D1 |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso_peak=7.5kV, Uceo=300V, CurTr(min)=20%10mA
|
Fairchild Optoelectronics Group
|
|
|
|
|
|
H11D1 |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso_peak=7.5kV, Uceo=300V, CurTr(min)=20%10mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
H11D1 |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso_peak=7.5kV, Uceo=300V, CurTr(min)=20%10mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
H11D1 |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso_peak=7.5kV, Uceo=300V, CurTr(min)=20%10mA
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
H11D1 |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso_peak=7.5kV, Uceo=300V, CurTr(min)=20%10mA
|
QTC
|
|
|
|
|
|
KBPC5010 50A 1000V (MB5010) |
|
Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм
|
|
2 094
|
81.48
|
|
|
|
MJ15025G |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP 250V, 16A, 250W
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MJ15025G |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP 250V, 16A, 250W
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MJ15025G |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP 250V, 16A, 250W
|
ГЕРМАНИЯ
|
|
|
|
|
|
MJ15025G |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP 250V, 16A, 250W
|
|
|
809.20
|
|
|
|
MJ15025G |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP 250V, 16A, 250W
|
ISC
|
|
|
|
|
|
MJ15025G |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP 250V, 16A, 250W
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
TDA7388 |
|
УНЧ 4x26W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x41W, Gv=26dB
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
TDA7388 |
|
УНЧ 4x26W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x41W, Gv=26dB
|
|
|
440.00
|
|
|
|
TDA7388 |
|
УНЧ 4x26W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x41W, Gv=26dB
|
СИНГАПУР
|
|
|
|
|
|
TDA7388 |
|
УНЧ 4x26W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x41W, Gv=26dB
|
ST1
|
|
|
|
|
|
TDA7388 |
|
УНЧ 4x26W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x41W, Gv=26dB
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
TDA7388 |
|
УНЧ 4x26W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x41W, Gv=26dB
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
TDA7388 |
|
УНЧ 4x26W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x41W, Gv=26dB
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
587
|
|
|