FM25H20-DG
Память FRAM, 256 Кбайт, SPI, неогр.кол-во циклов, Uпит=3В, -40°:+85°С, Pb-Free
|
Память F-RAM объемом 2 МБит, 100 трил. циклов перезаписи, интерфейс SPI 40 МГц, напряжение питания 2,7 - 3,6 В, температурный диапазон -40+85, корпус 8 pinTDFN, PB free |
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1SMB5929BT3G |
|
Стабилитрон 3W 15V DO214AA | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||
| 1SMB5929BT3G |
|
Стабилитрон 3W 15V DO214AA |
|
35.68 | ||||
| 1SMB5929BT3G |
|
Стабилитрон 3W 15V DO214AA | ON SEMICONDUCTOR | 120 |
|
|||
| 1SMB5929BT3G |
|
Стабилитрон 3W 15V DO214AA | ONS |
|
|
|||
| 1SMB5929BT3G |
|
Стабилитрон 3W 15V DO214AA | ONSEMI |
|
|
|||
| EGL41D | GENERAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| EGL41D | GENERAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
 |
MAX4129ESD | MAXIM |
|
|
||||
|
|
MAX4129ESD |
|
540.00 | |||||
|
|
MAX4129ESD | Maxim Integrated Products |
|
|
||||
|
|
MAX4129ESD | MAXIM |
|
|
||||
|
|
MAX4129ESD | 4-7 НЕДЕЛЬ | 511 |
|
||||
 |
REF02CP |
|
ИМС ИОН 5В | ANALOG DEVICES |
|
|
||
|
|
REF02CP |
|
ИМС ИОН 5В |
|
210.28 | |||
|
|
REF02CP |
|
ИМС ИОН 5В | ANALOG DEVICES | 2 |
|
||
|
|
REF02CP |
|
ИМС ИОН 5В | Analog Devices Inc |
|
|
||
|
|
REF02CP |
|
ИМС ИОН 5В | 4-7 НЕДЕЛЬ | 538 |
|
||
| TLV2548IDW | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| TLV2548IDW |
|
1 655.48 | ||||||
| TLV2548IDW | TEXAS |
|
|
|||||
| TLV2548IDW | 4-7 НЕДЕЛЬ | 489 |
|
