SMBJ11A
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free by exemption / RoHS Compliant |
| Серия | SMBJ |
| Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 11V |
| Voltage - Breakdown | 12.2V |
| Мощность (Ватт) | 600W |
| Polarization | Unidirectional |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | DO-214AA, SMB |
| Корпус | SMB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC846BT | PHILIPS |
|
|
||||
|
|
BC846BT | NXP |
|
|
||||
|
|
BC846BT |
|
|
|||||
|
|
BC846BT | NXP | 9 |
|
||||
|
|
BC846BT |
|
|
|||||
|
|
BC846BT | NEX-NXP |
|
|
||||
| BC856BWSOT323 | NXP |
|
|
|||||
| BC856BWSOT323 | NEXPERIA |
|
|
|||||
| BC856BWSOT323 | 0.00 |
|
|
|||||
|
|
BZX84C3V3LT1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
BZX84C3V3LT1G | ONS |
|
|
||||
|
|
BZX84C3V3LT1G | ON SEMICONDUCTOR | 132 |
|
||||
|
|
BZX84C3V3LT1G |
|
|
|||||
|
|
BZX84C3V3LT1G | ONSEMICONDUCTOR |
|
|
||||
| CDRH6D28NP-101NC | SUMIDA | 45 669 | 22.26 | |||||
| CDRH6D28NP-101NC |
|
61.20 | ||||||
| CDRH6D28NP-101NC | SUMIDA AMERICA COMPONENTS INC |
|
|
|||||
 |
|
FDN5630 |
|
60v n-channel powertrench mosfet | FAIR |
|
|
|
|
|
|
FDN5630 |
|
60v n-channel powertrench mosfet | 4 560 | 5.87 | ||
|
|
|
FDN5630 |
|
60v n-channel powertrench mosfet | FAIRCHILD |
|
|
|
|
|
|
FDN5630 |
|
60v n-channel powertrench mosfet | FAIRCHILD | 1 568 |
|
|
|
|
|
FDN5630 |
|
60v n-channel powertrench mosfet | Fairchild Semiconductor |
|
|
|
|
|
|
FDN5630 |
|
60v n-channel powertrench mosfet | FSC |
|
|
|
|
|
|
FDN5630 |
|
60v n-channel powertrench mosfet | ONS |
|
|
|
|
|
|
FDN5630 |
|
60v n-channel powertrench mosfet | ONS-FAIR |
|
|
|
|
|
|
FDN5630 |
|
60v n-channel powertrench mosfet | UMW-YOUTAI |
|
|
|
|
|
|
FDN5630 |
|
60v n-channel powertrench mosfet | YOUTAI | 10 722 | 7.23 |
