Версия для печати
Технические характеристики NTD20N06LT4G

Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	48 mOhm @ 10A, 5V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	20A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	32nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	990pF @ 25V
Power - Max	1.36W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	DPAK-3

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		ECAP 100/50V 0811 105C		Электролитический алюминиевый конденсатор, радиальные выводы 100мкФ, 50 В, 105С	JAMICON
		ECAP 100/50V 0811 105C		Электролитический алюминиевый конденсатор, радиальные выводы 100мкФ, 50 В, 105С			12.00
		ECAP 100/50V 0811 105C		Электролитический алюминиевый конденсатор, радиальные выводы 100мкФ, 50 В, 105С	JAM
		ECAP 100/50V 0811 105C		Электролитический алюминиевый конденсатор, радиальные выводы 100мкФ, 50 В, 105С	JB
		LM317AT		Регулируемый линейный СН (Vout=1.2-37V, Vref=1.25V, tol=1%, Io=1.5A(max), Vinmax=35V)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM317AT		Регулируемый линейный СН (Vout=1.2-37V, Vref=1.25V, tol=1%, Io=1.5A(max), Vinmax=35V)	NSC
		LM317AT		Регулируемый линейный СН (Vout=1.2-37V, Vref=1.25V, tol=1%, Io=1.5A(max), Vinmax=35V)			130.40
		LM317AT		Регулируемый линейный СН (Vout=1.2-37V, Vref=1.25V, tol=1%, Io=1.5A(max), Vinmax=35V)	NATIONAL SEMICONDUCTOR	1
		LM317AT		Регулируемый линейный СН (Vout=1.2-37V, Vref=1.25V, tol=1%, Io=1.5A(max), Vinmax=35V)	TEXAS INSTRUMENTS
		LM317AT		Регулируемый линейный СН (Vout=1.2-37V, Vref=1.25V, tol=1%, Io=1.5A(max), Vinmax=35V)	HGSEMI	3 049	28.60
		LM317AT		Регулируемый линейный СН (Vout=1.2-37V, Vref=1.25V, tol=1%, Io=1.5A(max), Vinmax=35V)	4-7 НЕДЕЛЬ	53
		OP213FS		2 Операционный усилитель бипл./CMOS, 3,4 МГц, 1,2 В/мкс, Uсм = 0,25 мВ, 1,5 мкВ/°С, ...	TEXAS INSTRUMENTS
		OP213FS		2 Операционный усилитель бипл./CMOS, 3,4 МГц, 1,2 В/мкс, Uсм = 0,25 мВ, 1,5 мкВ/°С, ...	ANALOG DEVICES	1	181.50
		OP213FS		2 Операционный усилитель бипл./CMOS, 3,4 МГц, 1,2 В/мкс, Uсм = 0,25 мВ, 1,5 мкВ/°С, ...			314.84
		OP213FS		2 Операционный усилитель бипл./CMOS, 3,4 МГц, 1,2 В/мкс, Uсм = 0,25 мВ, 1,5 мкВ/°С, ...	Analog Devices Inc
		OP213FS		2 Операционный усилитель бипл./CMOS, 3,4 МГц, 1,2 В/мкс, Uсм = 0,25 мВ, 1,5 мкВ/°С, ...	4-7 НЕДЕЛЬ	642
		STP10NK60ZFP		Полупроводниковый компонент TO220ISO	ST MICROELECTRONICS
		STP10NK60ZFP		Полупроводниковый компонент TO220ISO		585	33.20
		STP10NK60ZFP		Полупроводниковый компонент TO220ISO	ST MICROELECTRONICS SEMI
		STP10NK60ZFP		Полупроводниковый компонент TO220ISO	STMicroelectronics
		STP10NK60ZFP		Полупроводниковый компонент TO220ISO		585	33.20
		STP10NK60ZFP		Полупроводниковый компонент TO220ISO	КИТАЙ
		STP10NK60ZFP		Полупроводниковый компонент TO220ISO	ST MICROELECTRO
		КТ368А-9

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"