Версия для печати
Технические характеристики NTD20N06LT4G

Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	48 mOhm @ 10A, 5V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	20A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	32nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	990pF @ 25V
Power - Max	1.36W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	DPAK-3

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		3314G-1-501E			BOURNS	6	57.45
		3314G-1-501E			Bourns Inc
		3314G-1-501E
		3314G-1-501E			36.28
		BZV55-C5V1		Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м	PHILIPS
		BZV55-C5V1		Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м	NXP
		BZV55-C5V1		Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м	DC COMPONENTS	99 336	1.72
		BZV55-C5V1		Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м	NXP
		BZV55-C5V1		Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м	PHILIPS
		BZV55-C5V1		Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м	KINGTRON
		BZV55-C5V1		Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
		BZV55-C5V1		Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м	HOTTECH
		BZV55-C5V1		Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м	KEEN SIDE	69 840	1.41  >500 шт.   0.47
		ICM7555ID/01			ITL/HAR
		ICM7555ID/01			NXP
		ICM7555ID/01					68.00
		ICM7555ID/01			4-7 НЕДЕЛЬ	90
		MURS120T3		SMB	MOTOROLA
		MURS120T3		SMB	ON SEMICONDUCTOR
		MURS120T3		SMB		112	11.04
		MURS120T3		SMB	MOTOROLA
		MURS120T3		SMB	ON SEMICONDUCTOR	22
		UC3842BD1			ON SEMICONDUCTOR
		UC3842BD1					74.40
		UC3842BD1			ON SEMICONDUCTOR
		UC3842BD1			STMicroelectronics
		UC3842BD1			ST MICROELECTRONICS	800	53.88
		UC3842BD1			4-7 НЕДЕЛЬ	214

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"