| Мощность рассеяния,Вт | 0.128 |
| Минимальное напряжение стабилизации,В | 9.5 |
| Номинальное напряжение стабилизации,В | 10 |
| Максимальное напряжение стабилизации,В | 11 |
| Статическое сопротивление Rст.,Ом | 25 |
| при токе I ст,мА | 5 |
| Температурный коэффициент напряжения стабилизации аUст.,%/С | 0.1 |
| Временная нестабильность напряжения стабилизации dUст.,В | 1.5 |
| Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА | 1 |
| Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА | 79 |
| Рабочая температура,С | -60...125 |
| Способ монтажа | в отверстие |
| Корпус | kd-8 |
| Производитель | Россия |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
VISHAY
|
7
|
37.40
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
|
252
|
24.52
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
IR/VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
MINOS
|
1
|
20.28
|
|
|
|
|
KG-300-1 |
|
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
KG-300-1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
KG-300-1 |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
KG-300-1 |
|
|
KINGCOOLER
|
|
|
|
|
|
|
KG-300-1 |
|
|
CJ
|
|
|
|
|
|
|
KG-300-1 |
|
|
CIXI
|
60 000
|
9.30
|
|
|
|
|
KG-300-1 |
|
|
SANHE
|
|
|
|
|
|
|
KG-300-1 |
|
|
CIXI-CN
|
1 641
|
6.90
|
|
|
|
|
TL431C |
|
Параллельный стабилизатор напряжения (регулируемый стабилитрон) 2,5-36В, 1-100мА, 0,96Вт
|
|
708
|
9.25
|
|
|
|
|
TL431C |
|
Параллельный стабилизатор напряжения (регулируемый стабилитрон) 2,5-36В, 1-100мА, 0,96Вт
|
SGS
|
|
|
|
|
|
|
TL431C |
|
Параллельный стабилизатор напряжения (регулируемый стабилитрон) 2,5-36В, 1-100мА, 0,96Вт
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
TL431C |
|
Параллельный стабилизатор напряжения (регулируемый стабилитрон) 2,5-36В, 1-100мА, 0,96Вт
|
SGS THOMSON
|
|
|
|
|
|
|
TL431C |
|
Параллельный стабилизатор напряжения (регулируемый стабилитрон) 2,5-36В, 1-100мА, 0,96Вт
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
TL431C |
|
Параллельный стабилизатор напряжения (регулируемый стабилитрон) 2,5-36В, 1-100мА, 0,96Вт
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
TL431C |
|
Параллельный стабилизатор напряжения (регулируемый стабилитрон) 2,5-36В, 1-100мА, 0,96Вт
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
TL431C |
|
Параллельный стабилизатор напряжения (регулируемый стабилитрон) 2,5-36В, 1-100мА, 0,96Вт
|
HTC TAEJIN
|
|
|
|
|
|
|
TL431C |
|
Параллельный стабилизатор напряжения (регулируемый стабилитрон) 2,5-36В, 1-100мА, 0,96Вт
|
HTC
|
20 232
|
6.30
|
|
|
|
|
TL431C |
|
Параллельный стабилизатор напряжения (регулируемый стабилитрон) 2,5-36В, 1-100мА, 0,96Вт
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
204
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
|
1 195
|
16.65
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
80
|
60.48
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
БРЯНСК
|
178
|
36.12
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ФРЯЗИНО
|
521
|
16.80
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ЭЛЕКТРОНПРИБОР
|
400
|
49.14
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ЭДЬТАВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ЭЛЬТАВ
|
300
|
16.80
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
УЛЬЯНОВСК
|
120
|
16.80
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
КРЕМНИЙ ЭЛ
|
109
|
18.76
|
|
|
|
|
ЭКР1533ИР33 |
|
Регистр буферный, входов / выходов 8, 28нс, 4.5 ... 5.5В, ТТЛ
|
|
|
67.20
|
|
|
|
|
ЭКР1533ИР33 |
|
Регистр буферный, входов / выходов 8, 28нс, 4.5 ... 5.5В, ТТЛ
|
ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
ЭКР1533ИР33 |
|
Регистр буферный, входов / выходов 8, 28нс, 4.5 ... 5.5В, ТТЛ
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
ЭКР1533ИР33 |
|
Регистр буферный, входов / выходов 8, 28нс, 4.5 ... 5.5В, ТТЛ
|
ИНТЕГРАЛ
|
643
|
71.95
|
|
|
|
|
ЭКР1533ИР33 |
|
Регистр буферный, входов / выходов 8, 28нс, 4.5 ... 5.5В, ТТЛ
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
ЭКР1533ИР33 |
|
Регистр буферный, входов / выходов 8, 28нс, 4.5 ... 5.5В, ТТЛ
|
RUS
|
|
|
|
Версия для печати
