| Мощность рассеяния,Вт | 0.128 |
| Минимальное напряжение стабилизации,В | 9.5 |
| Номинальное напряжение стабилизации,В | 10 |
| Максимальное напряжение стабилизации,В | 11 |
| Статическое сопротивление Rст.,Ом | 25 |
| при токе I ст,мА | 5 |
| Температурный коэффициент напряжения стабилизации аUст.,%/С | 0.1 |
| Временная нестабильность напряжения стабилизации dUст.,В | 1.5 |
| Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА | 1 |
| Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА | 79 |
| Рабочая температура,С | -60...125 |
| Способ монтажа | в отверстие |
| Корпус | kd-8 |
| Производитель | Россия |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
|
13
|
55.50
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
IR/VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
MINOS
|
688
|
24.81
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
5
|
1
|
39.86
|
|
|
|
|
RY-12W-K |
|
Реле сигнальное (2 form С, 1,25А,12В, 960Ом)
|
FUJITSU
|
|
|
|
|
|
|
RY-12W-K |
|
Реле сигнальное (2 form С, 1,25А,12В, 960Ом)
|
|
|
320.00
|
|
|
|
|
RY-12W-K |
|
Реле сигнальное (2 form С, 1,25А,12В, 960Ом)
|
FUJ
|
|
|
|
|
|
|
RY-12W-K |
|
Реле сигнальное (2 form С, 1,25А,12В, 960Ом)
|
FCL
|
|
|
|
|
|
|
КР1533ЛН1 |
|
ИМС транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ
|
|
1
|
51.80
|
|
|
|
|
КР1533ЛН1 |
|
ИМС транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ
|
ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
КР1533ЛН1 |
|
ИМС транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КР1533ЛН1 |
|
ИМС транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КР1533ЛН1 |
|
ИМС транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ
|
ИНТЕГРАЛ
|
733
|
99.19
|
|
|
|
|
КР1533ЛН1 |
|
ИМС транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ312В |
|
|
|
98
|
98.38
|
|
|
|
|
КТ312В |
|
|
ГРАВИТОН
|
|
|
|
|
|
|
КТ312В |
|
|
ВОРОНЕЖ
|
112
|
53.00
|
|
|
|
|
КТ312В |
|
|
DJHJYT;
|
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
208
|
29.44
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
400
|
32.79
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
БРЯНСК
|
4 014
|
38.16
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
1150
|
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
3240
|
|
|
|
Версия для печати
