| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2П303Г |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...
|
|
|
624.00
|
|
|
|
2П303Г |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...
|
ФОТОН
|
|
|
|
|
|
2П303Г |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...
|
ЭЛЕКС
|
|
|
|
|
|
2П303Г |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
2П303Г |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...
|
ДАЛЕКС
|
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
NXP
|
10 484
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
|
1 796
|
3.31
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
JSCJ
|
|
|
|
|
|
|
MMB02070C6800FB200 |
|
|
VISHAY
|
336
|
9.30
|
|
|
|
|
MMB02070C6800FB200 |
|
|
Vishay/Beyschlag
|
|
|
|
|
|
|
MMB02070C6800FB200 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
SN74ABT574AN |
|
PDIP20
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
SN74ABT574AN |
|
PDIP20
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
132
|
|
|
|
|
|
SN74ABT574AN |
|
PDIP20
|
|
|
|
|
|
|
|
SN74ABT574AN |
|
PDIP20
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
706
|
|
|
|
|
ULN2003AN |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход- 5V TTL, CMOS:выход-50V, 0.5A:-20 to +85C)
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
7 568
|
31.80
|
|
|
|
ULN2003AN |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход- 5V TTL, CMOS:выход-50V, 0.5A:-20 to +85C)
|
|
2 378
|
20.34
|
|
|
|
ULN2003AN |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход- 5V TTL, CMOS:выход-50V, 0.5A:-20 to +85C)
|
TEXAS INSTR
|
|
|
|
|
|
ULN2003AN |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход- 5V TTL, CMOS:выход-50V, 0.5A:-20 to +85C)
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
ULN2003AN |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход- 5V TTL, CMOS:выход-50V, 0.5A:-20 to +85C)
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
ULN2003AN |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход- 5V TTL, CMOS:выход-50V, 0.5A:-20 to +85C)
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
ULN2003AN |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход- 5V TTL, CMOS:выход-50V, 0.5A:-20 to +85C)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
ULN2003AN |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход- 5V TTL, CMOS:выход-50V, 0.5A:-20 to +85C)
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
ULN2003AN |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход- 5V TTL, CMOS:выход-50V, 0.5A:-20 to +85C)
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
196
|
|
|
|
|
ULN2003AN |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход- 5V TTL, CMOS:выход-50V, 0.5A:-20 to +85C)
|
1000
|
|
|
|
|
|
ULN2003AN |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход- 5V TTL, CMOS:выход-50V, 0.5A:-20 to +85C)
|
8190
|
|
|
|