| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
|
SS9018 |
|
NPN 15V, 50mA, 0.4W, 1100MHz
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
|
SS9018 |
|
NPN 15V, 50mA, 0.4W, 1100MHz
|
|
|
2.80
|
|
|
|
|
SS9018 |
|
NPN 15V, 50mA, 0.4W, 1100MHz
|
|
|
2.80
|
|
|
|
 |
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8
|
SGS
|
|
|
|
|
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8
|
|
4
|
75.60
|
|
|
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8
|
UTC
|
|
|
|
|
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8
|
SGS THOMSON
|
|
|
|
|
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8
|
ST1
|
|
|
|
|
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8
|
1
|
|
|
|
|
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
678
|
|
|
|
|
|
КВ119А |
|
|
|
59
|
35.15
|
|
|
|
|
КВ119А |
|
|
ДНЕПР
|
|
|
|
|
|
|
КВ119А |
|
|
ХЕРСОН
|
|
|
|
|
|
|
КТ117Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа
|
|
288
|
185.00
|
|
|
|
|
КТ117Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа
|
КРИСТАЛЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ117Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа
|
УЛЬЯНОВСК
|
3 267
|
35.70
|
|
|
|
|
КТ117Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ117Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа
|
УРЛЗ
|
120
|
227.30
|
|
|
|
|
КТ117Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа
|
КАЛУГА
|
|
|
|
|
|
|
КТ639Ж |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
КТ639Ж |
|
|
КРЕМНИЙ
|
400
|
24.57
|
|
|
|
|
КТ639Ж |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
КТ639Ж |
|
|
БРЯНСК
|
632
|
12.60
|
|
Версия для печати
