|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
74AC10D |
|
|
|
7
|
18.40
|
|
|
|
74AC10D |
|
|
|
7
|
18.40
|
|
|
|
74AC10D |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
24
|
|
|
|
|
AD633JR |
|
Мультиплексор аналоговый
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
AD633JR |
|
Мультиплексор аналоговый
|
|
|
630.12
|
|
|
|
AD633JR |
|
Мультиплексор аналоговый
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
AD633JR |
|
Мультиплексор аналоговый
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
38
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
4 255
|
1.68
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DC COMPONENTS
|
16 716
|
2.15
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIOTEC
|
204
|
1.54
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
185
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
15 645
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
1 100
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIODES INCORPORATED
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY ME
|
3 807
|
1.38
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
HOTTECH
|
567 448
|
1.74
>100 шт. 0.87
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YJ
|
717 954
|
1.31
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
CJ
|
2 644
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JSCJ
|
61 386
|
1.76
>100 шт. 0.88
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE
|
7 200
|
1.03
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JINGDAO
|
166 895
|
1.42
>100 шт. 0.71
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
TWGMC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
MDD
|
|
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
PHILIPS
|
315
|
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
МАРОККО
|
|
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
ST MICROELECTRONICS
|
3 283
|
8.13
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
NXP
|
515
|
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
|
33 721
|
4.59
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
HOTTECH
|
128 735
|
5.97
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
LGE
|
|
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
SIKOR
|
|
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
SLKOR
|
13 727
|
5.72
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
YJ
|
259 208
|
4.34
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
JSCJ
|
8 412
|
5.11
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
1
|
|
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
TRR
|
12 000
|
4.30
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
JY
|
12 445
|
8.22
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
ZH
|
6 000
|
7.25
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
NEXPERIA
|
784
|
4.33
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
80
|
28.35
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
ST MICROELECTRONICS
|
928
|
24.57
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
|
|
16.04
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
UTC
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
ГЕРМАНИЯ
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
HTC TAEJIN
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
1
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
IDCHIP
|
650
|
3.50
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
482
|
|
|