| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
24LC256T-I/SN |
|
EEPROM ser 2,5V 32Kx8
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
|
24LC256T-I/SN |
|
EEPROM ser 2,5V 32Kx8
|
MICRO CHIP
|
164
|
|
|
|
|
|
24LC256T-I/SN |
|
EEPROM ser 2,5V 32Kx8
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
|
24LC256T-I/SN |
|
EEPROM ser 2,5V 32Kx8
|
MCP
|
|
|
|
|
|
|
24LC256T-I/SN |
|
EEPROM ser 2,5V 32Kx8
|
|
440
|
50.07
|
|
|
|
|
24LC256T-I/SN |
|
EEPROM ser 2,5V 32Kx8
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
496
|
|
|
|
|
|
32768КВАРЦЧАСОВОЙ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
CR1620 |
|
|
EEMB
|
|
|
|
|
|
|
CR1620 |
|
|
Energizer Battery Company
|
|
|
|
|
|
|
CR1620 |
|
|
Panasonic - BSG
|
|
|
|
|
|
|
CR1620 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
CR1620 |
|
|
ENERGIZER
|
|
|
|
|
|
|
CR1620 |
|
|
CAMELION
|
|
|
|
|
|
|
CR1620 |
|
|
FANSO
|
|
|
|
|
|
|
CR1620 |
|
|
P-FLASH
|
3 432
|
15.04
|
|
 |
 |
IRF7309 |
|
Сдвоенные N & P-канальные полевые транзисторы (Vds=30V(--30V), Id=4.0A(--3.0A)@t=25C, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
800
|
65.59
|
|
|
|
|
IRF7309 |
|
Сдвоенные N & P-канальные полевые транзисторы (Vds=30V(--30V), Id=4.0A(--3.0A)@t=25C, ...
|
|
1
|
63.00
|
|
|
|
|
IRF7309 |
|
Сдвоенные N & P-канальные полевые транзисторы (Vds=30V(--30V), Id=4.0A(--3.0A)@t=25C, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF7309 |
|
Сдвоенные N & P-канальные полевые транзисторы (Vds=30V(--30V), Id=4.0A(--3.0A)@t=25C, ...
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
|
IRF7309 |
|
Сдвоенные N & P-канальные полевые транзисторы (Vds=30V(--30V), Id=4.0A(--3.0A)@t=25C, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRF7309 |
|
Сдвоенные N & P-канальные полевые транзисторы (Vds=30V(--30V), Id=4.0A(--3.0A)@t=25C, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
WINBOND
|
320
|
258.30
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
WIN
|
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
Winbond Electronics
|
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
|
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
NO NAME
|
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
|
|
141.80
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
1 257
|
|
|
Версия для печати
