Версия для печати
Технические характеристики MJE13003G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	SWITCHMODE™
Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	1.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	400V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	3V @ 500mA, 1.5A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	8 @ 500mA, 2V
Power - Max	1.4W
Frequency - Transition	10MHz
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-225-3
Корпус	TO225AA

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MICRO SEMICONDUCTOR
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MCC
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ST MICROELECTRONICS
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	FAIR
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	GOODWORK SEMICONDUCTER
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	RECTRON
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	DC COMPONENTS	4 388	3.10
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ON SEMICONDUCTOR
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	SMK
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MIC	36 912	2.13
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	YJ	22 820	2.01
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	FAIRCHILD
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	GALAXY
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	DC COMPONENTS	3 692
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	FAIRCHILD
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	GENERAL SEMICONDUCTOR	21
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	GOODWORK SEMICONDUCTER, INC.
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ON SEMICONDUCTOR	80
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	OTHER
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	RECTRON	240
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ST MICROELECTRONICS SEMI
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	YJ ELECTRONIC
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	Fairchild Semiconductor
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	Vishay/Semiconductors
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	STMicroelectronics
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	КИТАЙ	320	3.15
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	LESHAN RADIO COMPANY, LTD	43 351
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MOTOROLA
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	RECTIFIER
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	DIODES INC.	14
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MMC
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MIG
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А		15 963	1.83
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MULTICOMP
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	KINGTRONICS
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ONS-FAIR
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	GALAXY ME
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	JY
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	KLS
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	SUNTAN	375	3.20
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	YANGJIE	13 600	2.43
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	YANGJIE (YJ)
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	WUXI XUYANG
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	SEMTECH
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MIС
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ASEMI
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	HOTTECH
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	1
		MJE13005		Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...	ON SEMICONDUCTOR
		MJE13005		Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...	ST MICROELECTRONICS
		MJE13005		Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...			120.00
		MJE13005		Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...	ONS
		MJE13005		Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...	ON SEMICONDUCTOR
		MJE13005		Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
		MJE13005		Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...	INCHANGE SEMIC
		MJE13005		Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...	MOTOROLA
		MJE13005		Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...	HOTTECH
		MJE13005		Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...	ZH
		MJE13005		Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...	RUME	6 960	11.38
		MJE13005		Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...	TRR	7 120	11.96
		MJE13007		Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц	ON SEMICONDUCTOR
		MJE13007		Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц			63.88
		MJE13007		Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц	ONS
		MJE13007		Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц	ST MICROELECTR
		MJE13007		Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц	ST MICROELECTRONICS
		MJE13007		Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц	STMICROELECTR
		MJE13007		Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц	HOTTECH
		MJE13007		Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц	KEC
		MJE13007		Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц	ZH
		MJE13007		Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц	FAIRCHILD	12	22.51
		MJE13007		Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц	KLS
		MJE13007		Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц	ZHONGDI
		MJE13007		Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц	БРЯНСК	790	132.30
		MJE13007		Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц	ISC	324	39.43
		MJE13009G		Транзистор биполярный	ON SEMICONDUCTOR
		MJE13009G		Транзистор биполярный	ONS
		MJE13009G		Транзистор биполярный			129.20
		MJE13009G		Транзистор биполярный	ON SEMICONDUCTO
		OP213FS		2 Операционный усилитель бипл./CMOS, 3,4 МГц, 1,2 В/мкс, Uсм = 0,25 мВ, 1,5 мкВ/°С, ...	TEXAS INSTRUMENTS
		OP213FS		2 Операционный усилитель бипл./CMOS, 3,4 МГц, 1,2 В/мкс, Uсм = 0,25 мВ, 1,5 мкВ/°С, ...	ANALOG DEVICES	1	181.50
		OP213FS		2 Операционный усилитель бипл./CMOS, 3,4 МГц, 1,2 В/мкс, Uсм = 0,25 мВ, 1,5 мкВ/°С, ...			314.84
		OP213FS		2 Операционный усилитель бипл./CMOS, 3,4 МГц, 1,2 В/мкс, Uсм = 0,25 мВ, 1,5 мкВ/°С, ...	Analog Devices Inc
		OP213FS		2 Операционный усилитель бипл./CMOS, 3,4 МГц, 1,2 В/мкс, Uсм = 0,25 мВ, 1,5 мкВ/°С, ...	4-7 НЕДЕЛЬ	642

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"