Версия для печати
Технические характеристики LQM21NNR47K10D

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	LQM21N
Inductance	470nH
Current	200mA
Тип	Ferrite Core
Допустимые отклонения емкости	±10%
Shielding	Shielded
DC Resistance (DCR)	570 mOhm Max
Q @ Freq	25 @ 25MHz
Self Resonant Freq	150MHz
Корпус (размер)	0805 (2012 Metric)
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Frequency - Test	25MHz
Material - Core	Ferrite
Сфера применения	General Purpose
Tolerance	±10%

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Индукторы, катушки, дроссели

 » 

Постоянные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		ATMEGA644P-20AU		8- бит AVR RISC микроконтроллер с низким потребл. (64K ISP Flash, Vcc=2,75,5V, -40 to ...	ATMEL
		ATMEGA644P-20AU		8- бит AVR RISC микроконтроллер с низким потребл. (64K ISP Flash, Vcc=2,75,5V, -40 to ...			880.00
		ATMEGA644P-20AU		8- бит AVR RISC микроконтроллер с низким потребл. (64K ISP Flash, Vcc=2,75,5V, -40 to ...	ATMEL CORPORATION	21
		ATMEGA644P-20AU		8- бит AVR RISC микроконтроллер с низким потребл. (64K ISP Flash, Vcc=2,75,5V, -40 to ...	MICRO CHIP
		ATMEGA644P-20AU		8- бит AVR RISC микроконтроллер с низким потребл. (64K ISP Flash, Vcc=2,75,5V, -40 to ...	4-7 НЕДЕЛЬ	149
		CC0603JRNPO9BN560		Керамический конденсатор 56 пФ 50 В	PHYCOMP
		CC0603JRNPO9BN560		Керамический конденсатор 56 пФ 50 В	YAGEO	141 192	0.90  >1000 шт.   0.18
		CC0603JRNPO9BN560		Керамический конденсатор 56 пФ 50 В	PHYCOMP
		CC0603JRNPO9BN560		Керамический конденсатор 56 пФ 50 В	YAGEO
		CC0603JRNPO9BN560		Керамический конденсатор 56 пФ 50 В
		CC0603JRNPO9BN680		Керамический конденсатор 68 пФ 50 В	PHYCOMP
		CC0603JRNPO9BN680		Керамический конденсатор 68 пФ 50 В	YAGEO	399 332	0.60  >1000 шт.   0.12
		CC0603JRNPO9BN680		Керамический конденсатор 68 пФ 50 В	PHYCOMP
		CC0603JRNPO9BN680		Керамический конденсатор 68 пФ 50 В	YAGEO
		HMC1021Z-RC		Магниторезистивный датчик напряженности магнитного поля, 1 ось, 1100 Ом, -55:+150°С	HONEYWELL
		HMC1021Z-RC		Магниторезистивный датчик напряженности магнитного поля, 1 ось, 1100 Ом, -55:+150°С	HONEY
		HMC1021Z-RC		Магниторезистивный датчик напряженности магнитного поля, 1 ось, 1100 Ом, -55:+150°С	Honeywell Microelectronics & Precision Sensors
		HMC1021Z-RC		Магниторезистивный датчик напряженности магнитного поля, 1 ось, 1100 Ом, -55:+150°С	HONEYWELL
		HMC1021Z-RC		Магниторезистивный датчик напряженности магнитного поля, 1 ось, 1100 Ом, -55:+150°С			2 045.20
		HMC1021Z-RC		Магниторезистивный датчик напряженности магнитного поля, 1 ось, 1100 Ом, -55:+150°С	4-7 НЕДЕЛЬ	745
		LM2937ES-3.3		Линейный СН ``low drop`` (Vout=3.3V, tol=5%, I=0.5A, Vin(max)=26V, transient ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM2937ES-3.3		Линейный СН ``low drop`` (Vout=3.3V, tol=5%, I=0.5A, Vin(max)=26V, transient ...			132.00
		LM2937ES-3.3		Линейный СН ``low drop`` (Vout=3.3V, tol=5%, I=0.5A, Vin(max)=26V, transient ...	NSC
		LM2937ES-3.3		Линейный СН ``low drop`` (Vout=3.3V, tol=5%, I=0.5A, Vin(max)=26V, transient ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM2937ES-3.3		Линейный СН ``low drop`` (Vout=3.3V, tol=5%, I=0.5A, Vin(max)=26V, transient ...	ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
		LM2937ES-3.3		Линейный СН ``low drop`` (Vout=3.3V, tol=5%, I=0.5A, Vin(max)=26V, transient ...	TEXAS INSTRUMENTS
		LM2937ES-3.3		Линейный СН ``low drop`` (Vout=3.3V, tol=5%, I=0.5A, Vin(max)=26V, transient ...	TEXAS
		LM2937ES-3.3		Линейный СН ``low drop`` (Vout=3.3V, tol=5%, I=0.5A, Vin(max)=26V, transient ...	4-7 НЕДЕЛЬ	476

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"