|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``
|
BARONS
|
|
|
|
|
|
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``
|
BI TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``
|
|
|
56.00
|
|
|
|
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``
|
BOCHEN
|
1 812
|
18.07
|
|
|
|
BL01RN1A1D2B |
|
индуктивность для подавления ЭМП
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
BL01RN1A1D2B |
|
индуктивность для подавления ЭМП
|
|
|
17.00
|
|
|
|
BL01RN1A1D2B |
|
индуктивность для подавления ЭМП
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
BL01RN1A1D2B |
|
индуктивность для подавления ЭМП
|
MUR
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
|
50 400
|
3.86
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HOTTECH
|
48 871
|
6.89
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HUASHUO
|
42 684
|
5.34
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
YOUTAI
|
19 200
|
3.53
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
UMW
|
28
|
2.95
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
SUNTAN
|
31 660
|
9.08
|
|
|
|
LQH43CN101K03L |
|
Дроссель SMD 1812 (L=100 uH +/-10%, I=190mA, R=2.2 Ohm (max), SRF=6.8MHz(min), ...
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
LQH43CN101K03L |
|
Дроссель SMD 1812 (L=100 uH +/-10%, I=190mA, R=2.2 Ohm (max), SRF=6.8MHz(min), ...
|
|
|
32.00
|
|
|
|
LQH43CN101K03L |
|
Дроссель SMD 1812 (L=100 uH +/-10%, I=190mA, R=2.2 Ohm (max), SRF=6.8MHz(min), ...
|
MUR
|
256
|
21.86
|
|
|
|
LQH43CN101K03L |
|
Дроссель SMD 1812 (L=100 uH +/-10%, I=190mA, R=2.2 Ohm (max), SRF=6.8MHz(min), ...
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
КСО-2Г-500В-2200 ПФ 10% |
|
|
|
|
|
|