| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``
|
BARONS
|
|
|
|
|
|
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``
|
BI TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``
|
|
|
56.00
|
|
|
|
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``
|
BOCHEN
|
7 112
|
15.52
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
|
40 800
|
3.15
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HOTTECH
|
116 252
|
1.98
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HUASHUO
|
17 936
|
4.56
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
YOUTAI
|
42 632
|
2.13
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
UMW
|
8 000
|
3.10
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
SUNTAN
|
27 755
|
5.27
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KEEN SIDE
|
25 292
|
1.92
|
|
|
|
|
LQH43M-181-1000 МКГН 10% |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
LQH43MN101K03L |
|
SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
|
LQH43MN101K03L |
|
SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
|
LQH43MN101K03L |
|
SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812
|
MUR
|
26 336
|
12.92
|
|
|
|
|
LQH43MN101K03L |
|
SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812
|
|
|
24.60
|
|
|
|
|
LQH43MN101K03L |
|
SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
|
КСО-2Г-500В-2200 ПФ 10% |
|
|
|
|
|
|