|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``
|
BARONS
|
|
|
|
|
|
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``
|
BI TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``
|
|
|
56.00
|
|
|
|
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``
|
BOCHEN
|
3 546
|
15.35
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
|
40 800
|
3.15
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HOTTECH
|
132 628
|
1.95
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HUASHUO
|
6 144
|
3.13
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
YOUTAI
|
56 311
|
2.06
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
UMW
|
8 000
|
3.10
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
SUNTAN
|
29 581
|
5.34
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KEEN SIDE
|
26 000
|
2.30
|
|
|
|
LQH43M-181-1000 МКГН 10% |
|
|
|
|
|
|
|
|
LQH43MN101K03L |
|
SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
LQH43MN101K03L |
|
SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
LQH43MN101K03L |
|
SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812
|
MUR
|
33 168
|
13.07
|
|
|
|
LQH43MN101K03L |
|
SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812
|
|
|
24.60
|
|
|
|
LQH43MN101K03L |
|
SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
КСО-2Г-500В-2200 ПФ 10% |
|
|
|
|
|
|