| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
LM319N |
|
Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM319N |
|
Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns
|
SIGNETICS
|
|
|
|
|
|
|
LM319N |
|
Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
LM319N |
|
Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
LM319N |
|
Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns
|
|
2
|
75.60
|
|
|
|
|
LM319N |
|
Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
LM319N |
|
Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
LM319N |
|
Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns
|
SIGNETICS
|
|
|
|
|
|
|
LM319N |
|
Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
LM319N |
|
Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
LM319N |
|
Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns
|
NATIONAL SEMIC
|
|
|
|
|
|
|
LM319N |
|
Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
LM319N |
|
Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
LM319N |
|
Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns
|
1
|
|
|
|
|
|
|
LM319N |
|
Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
623
|
|
|
|
|
|
ГРПМШ1-61ШУ2-В |
|
|
|
50
|
190.08
|
|
|
|
|
ГРПМШ1-61ШУ2-В |
|
|
КОМ
|
|
|
|
|
|
|
ГРПМШ1-61ШУ2-В |
|
|
НЕРУССА
|
|
|
|
|
|
|
КР572ПА2А |
|
|
|
92
|
260.82
|
|
|
|
|
КР572ПА2А |
|
|
РИГА
|
|
|
|
|
|
|
КР572ПА2А |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КР572ПА2А |
|
|
АЛЬФА РИГА
|
96
|
216.97
|
|
|
|
|
КТ502Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, для ...
|
|
817
|
5.55
|
|
|
|
|
КТ502Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, для ...
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
11.34
|
|
|
|
|
КТ502Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, для ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
6 560
|
6.30
|
|
|
|
|
КТ502Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, для ...
|
БРЯНСК
|
651
|
8.40
|
|
|
|
|
КТ502Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, для ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ502Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, для ...
|
МИНСК
|
1 106
|
8.40
|
|
|
|
|
КТ502Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, для ...
|
ЭЛЕКС
|
|
|
|
|
|
|
КТ502Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, для ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ502Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, для ...
|
ДАЛЕКС
|
560
|
14.46
|
|
|
|
|
КТ503Б |
|
|
|
15 535
|
9.25
|
|
|
|
|
КТ503Б |
|
|
КРЕМНИЙ
|
948
|
13.23
|
|
|
|
|
КТ503Б |
|
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ503Б |
|
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ503Б |
|
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ503Б |
|
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ503Б |
|
|
ЭЛЕКС
|
|
|
|
|
|
|
КТ503Б |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ503Б |
|
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
Версия для печати
