Версия для печати
Технические характеристики Д818Е

Мощность рассеяния,Вт	0.3
Минимальное напряжение стабилизации,В	8.1
Номинальное напряжение стабилизации,В	8.5
Максимальное напряжение стабилизации,В	8.9
Статическое сопротивление Rст.,Ом	25
при токе I ст,мА	10
Температурный коэффициент напряжения стабилизации аUст.,%/С	0.001
Временная нестабильность напряжения стабилизации dUст.,В	0.12
Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА	3
Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА	33
Рабочая температура,С	-60...125
Способ монтажа	в отверстие
Корпус	kd 2
Производитель	Россия

Стабилитрон кремниевый, диффузионно-сплавный, малой мощности, прецизионный Д818Е datasheet 85,71kB 3стр.

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

СТАБИЛИТРОНЫ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N4007			DC COMPONENTS	61 102	1.02
		1N4007			GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N4007			LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N4007			PANJIT
		1N4007			FSC
		1N4007			MCC
		1N4007			DIC
		1N4007			FAIR
		1N4007			PHILIPS
		1N4007			MIC	329 499	1.48
		1N4007			DIOTEC	71 806	2.87
		1N4007			ON SEMICONDUCTOR
		1N4007			LD
		1N4007			JGD
		1N4007			MING SHUN
		1N4007			MS
		1N4007			QUAN-HONG
		1N4007			XR
		1N4007			GALAXY
		1N4007			COMPACT TECHNOLOGY
		1N4007			DC COMPONENTS
		1N4007			FAIRCHILD	288
		1N4007			GENERAL SEMICONDUCTOR	1
		1N4007			LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N4007			MASTER INSTRUMENT CORPORATION
		1N4007			MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
		1N4007			ON SEMICONDUCTOR
		1N4007			PANJIT	307 692
		1N4007			PHILIPS
		1N4007			TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		1N4007			YANGJIE SEMICONDUCT
		1N4007			Fairchild Semiconductor
		1N4007			SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		1N4007			MICROSEMI CORP
		1N4007			ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N4007			GD
		1N4007			JC
		1N4007			KINGTRONICS
		1N4007			YJ	186 464	1.43
		1N4007			DIODES INC.
		1N4007			MIG
		1N4007			MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
		1N4007			MOTOROLA
		1N4007			YJ ELE-NIC CORP
		1N4007			RECTIFIER
		1N4007			EXTRA COM-NTS
		1N4007			GALAXY ELECTRICAL
		1N4007			GEMBIRD
		1N4007			ТОМИЛИНО
		1N4007			EXTRA
		1N4007			КИТАЙ	879	5.47
		1N4007			DIOTEC SEMICONDUCTOR
		1N4007			MD
		1N4007				2 128	3.70
		1N4007			ONS-FAIR
		1N4007			ONS
		1N4007			ELZET
		1N4007			GALAXY ME
		1N4007			LGE	27	1.59
		1N4007			HOTTECH	3 535	1.48
		1N4007			KLS
		1N4007			YS	2 311	1.38
		1N4007			YANGJIE	35 864	1.52
		1N4007			YANGJIE (YJ)
		1N4007			MC
		1N4007			FAIRCHILD
		1N4007			WUXI XUYANG
		1N4007			KUU
		1N4007			CHINA
		1N4007			SUNRISETRON
		1N4007			UNKNOWN
		1N4007			BILIN
		1N4007			KEHE
		1N4007			1
		1N4007			BL
		1N4007			SUNTAN	41 663	1.23
		1N4007			TWGMC	28 247	1.50  >500 шт.   0.50
		1N4007			CTK
		1N4007			JUXING	85	1.71
		1N4007			ASEMI	1	1.52  >100 шт.   0.76
		1N4007			YANGZHOU YANGJIE
		1N4007			KEEN SIDE	365 522	1.14  >100 шт.   0.57
		1N4007			MERRYELC	212 786	1.61
		1N4007			82582
		1N4007			81682
		1N4007			TRR	550 640	1.42  >100 шт.   0.71
		1N4007			71682	8	1.06
		К155АГ1		Одноканальный ждущий мультивибратор		12	120.05
		К155АГ1		Одноканальный ждущий мультивибратор	RUS
		К155АГ1		Одноканальный ждущий мультивибратор	ПЛАНЕТА
		КС133А		Стабилитрон кремниевый 3,3В, 3-81 мА		3 274	9.94
		КС133А		Стабилитрон кремниевый 3,3В, 3-81 мА	НЗПП	592	51.66
		КС133А		Стабилитрон кремниевый 3,3В, 3-81 мА	НОВОСИБИРСК
		КС133А		Стабилитрон кремниевый 3,3В, 3-81 мА	ХЕРСОН
		КС133А		Стабилитрон кремниевый 3,3В, 3-81 мА	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
		КС133А		Стабилитрон кремниевый 3,3В, 3-81 мА	RUS
		КС133А		Стабилитрон кремниевый 3,3В, 3-81 мА	НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...		1 494	5.52
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	КРЕМНИЙ	800	12.49
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	СВЕТЛАНА
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	МИНСК
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	БРЯНСК	857	12.72
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	НАЛЬЧИК
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	РИГА
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	RUS
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	ИНТЕГРАЛ
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	1512
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц		860	29.44
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	КРЕМНИЙ	3 520	54.76
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	ИНТЕГРАЛ
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	БРЯНСК	13 185	38.16
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	МИНСК	7 976	38.16
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	ТРАНЗИСТОР
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	RUS
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	1000
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	10000
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	11366
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	27
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	4794

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"