| Мощность рассеяния,Вт | 0.3 |
| Минимальное напряжение стабилизации,В | 8.1 |
| Номинальное напряжение стабилизации,В | 8.5 |
| Максимальное напряжение стабилизации,В | 8.9 |
| Статическое сопротивление Rст.,Ом | 25 |
| при токе I ст,мА | 10 |
| Температурный коэффициент напряжения стабилизации аUст.,%/С | 0.001 |
| Временная нестабильность напряжения стабилизации dUст.,В | 0.12 |
| Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА | 3 |
| Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА | 33 |
| Рабочая температура,С | -60...125 |
| Способ монтажа | в отверстие |
| Корпус | kd 2 |
| Производитель | Россия |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
DL4744A |
|
Стабилитрон SMD 15В, 1Вт
|
|
6 400
|
1.49
|
|
|
|
|
DL4744A |
|
Стабилитрон SMD 15В, 1Вт
|
DC COMPONENTS
|
49 360
|
2.96
|
|
|
|
|
DL4744A |
|
Стабилитрон SMD 15В, 1Вт
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
|
DL4744A |
|
Стабилитрон SMD 15В, 1Вт
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
|
DL4744A |
|
Стабилитрон SMD 15В, 1Вт
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
DL4744A |
|
Стабилитрон SMD 15В, 1Вт
|
YJ
|
34 493
|
3.27
|
|
|
|
|
DL4744A |
|
Стабилитрон SMD 15В, 1Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
DL4744A |
|
Стабилитрон SMD 15В, 1Вт
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
DL4744A |
|
Стабилитрон SMD 15В, 1Вт
|
HOTTECH
|
1 520
|
3.10
|
|
|
|
|
DL4744A |
|
Стабилитрон SMD 15В, 1Вт
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
DL4744A |
|
Стабилитрон SMD 15В, 1Вт
|
LGE
|
828
|
3.45
|
|
|
|
|
DL4744A |
|
Стабилитрон SMD 15В, 1Вт
|
DS
|
1 657
|
4.20
|
|
|
|
|
К155АГ1 |
|
Одноканальный ждущий мультивибратор
|
|
4
|
33.30
|
|
|
|
|
К155АГ1 |
|
Одноканальный ждущий мультивибратор
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
К155АГ1 |
|
Одноканальный ждущий мультивибратор
|
ПЛАНЕТА
|
80
|
206.64
|
|
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А
|
|
2 844
|
3.40
|
|
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А
|
БОЛОХОВСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А
|
БОЛХОВ
|
|
|
|
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А
|
БОЛХОВСКИЙ ЗПП
|
960
|
13.43
|
|
|
|
|
КС133А |
|
Стабилитрон кремниевый 3,3В, 3-81 мА
|
|
4 588
|
9.94
|
|
|
|
|
КС133А |
|
Стабилитрон кремниевый 3,3В, 3-81 мА
|
НЗПП
|
960
|
51.66
|
|
|
|
|
КС133А |
|
Стабилитрон кремниевый 3,3В, 3-81 мА
|
НОВОСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
|
КС133А |
|
Стабилитрон кремниевый 3,3В, 3-81 мА
|
ХЕРСОН
|
|
|
|
|
|
|
КС133А |
|
Стабилитрон кремниевый 3,3В, 3-81 мА
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КС133А |
|
Стабилитрон кремниевый 3,3В, 3-81 мА
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КС133А |
|
Стабилитрон кремниевый 3,3В, 3-81 мА
|
НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
КТ3107Б |
|
Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...
|
|
340
|
11.04
|
|
|
|
|
КТ3107Б |
|
Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
10.96
|
|
|
|
|
КТ3107Б |
|
Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...
|
СВЕТЛАНА
|
|
|
|
|
|
|
КТ3107Б |
|
Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ3107Б |
|
Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...
|
БРЯНСК
|
1 321
|
12.60
|
|
|
|
|
КТ3107Б |
|
Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
|
КТ3107Б |
|
Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...
|
РИГА
|
|
|
|
|
|
|
КТ3107Б |
|
Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ3107Б |
|
Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ3107Б |
|
Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
Версия для печати
