| Мощность рассеяния,Вт | 0.3 |
| Минимальное напряжение стабилизации,В | 8.1 |
| Номинальное напряжение стабилизации,В | 8.5 |
| Максимальное напряжение стабилизации,В | 8.9 |
| Статическое сопротивление Rст.,Ом | 25 |
| при токе I ст,мА | 10 |
| Температурный коэффициент напряжения стабилизации аUст.,%/С | 0.001 |
| Временная нестабильность напряжения стабилизации dUст.,В | 0.12 |
| Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА | 3 |
| Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА | 33 |
| Рабочая температура,С | -60...125 |
| Способ монтажа | в отверстие |
| Корпус | kd 2 |
| Производитель | Россия |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
|
К155АГ1 |
|
Одноканальный ждущий мультивибратор
|
|
12
|
120.05
|
|
|
|
|
К155АГ1 |
|
Одноканальный ждущий мультивибратор
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
К155АГ1 |
|
Одноканальный ждущий мультивибратор
|
ПЛАНЕТА
|
|
|
|
|
|
 |
КП303А |
|
Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
|
|
4
|
240.50
|
|
|
|
|
КП303А |
|
Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
|
ФОТОН
|
13 444
|
25.44
|
|
|
|
|
КП303А |
|
Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КП303А |
|
Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КП303А |
|
Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
|
ЭЛЕКС
|
532
|
152.26
|
|
|
|
|
КС133А |
|
Стабилитрон кремниевый 3,3В, 3-81 мА
|
|
3 274
|
9.94
|
|
|
|
|
КС133А |
|
Стабилитрон кремниевый 3,3В, 3-81 мА
|
НЗПП
|
592
|
51.66
|
|
|
|
|
КС133А |
|
Стабилитрон кремниевый 3,3В, 3-81 мА
|
НОВОСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
|
КС133А |
|
Стабилитрон кремниевый 3,3В, 3-81 мА
|
ХЕРСОН
|
|
|
|
|
|
|
КС133А |
|
Стабилитрон кремниевый 3,3В, 3-81 мА
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КС133А |
|
Стабилитрон кремниевый 3,3В, 3-81 мА
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КС133А |
|
Стабилитрон кремниевый 3,3В, 3-81 мА
|
НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
КТ3107Б |
|
Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...
|
|
1 494
|
5.52
|
|
|
|
|
КТ3107Б |
|
Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
12.49
|
|
|
|
|
КТ3107Б |
|
Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...
|
СВЕТЛАНА
|
|
|
|
|
|
|
КТ3107Б |
|
Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ3107Б |
|
Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...
|
БРЯНСК
|
873
|
12.72
|
|
|
|
|
КТ3107Б |
|
Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
|
КТ3107Б |
|
Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...
|
РИГА
|
|
|
|
|
|
|
КТ3107Б |
|
Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ3107Б |
|
Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ3107Б |
|
Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ3107Б |
|
Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...
|
1512
|
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
208
|
29.44
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
400
|
32.79
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
БРЯНСК
|
4 014
|
38.16
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
1150
|
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
3240
|
|
|
|
Версия для печати
