Версия для печати
Технические характеристики RB152

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Voltage - Peak Reverse (Max)	100V
Current - DC Forward (If)	1.5A
Diode Type	Single Phase
Скорость	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	RB-15
Корпус	RB-15

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Диоды

 » 

Диодные мосты

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		W04M		Диодный мост 0,5A 400V	TAIWAN SEMICONDUCTOR
		W04M		Диодный мост 0,5A 400V	GOODWORK SEMICONDUCTER
		W04M		Диодный мост 0,5A 400V	DC COMPONENTS	8 568	8.98
		W04M		Диодный мост 0,5A 400V			15.20
		W04M		Диодный мост 0,5A 400V	GALAXY
		W04M		Диодный мост 0,5A 400V	GOODWORK SEMICONDUCTER, INC.
		W04M		Диодный мост 0,5A 400V	OTHER
		W04M		Диодный мост 0,5A 400V	TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		W04M		Диодный мост 0,5A 400V	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		W04M		Диодный мост 0,5A 400V	КИТАЙ
		W04M		Диодный мост 0,5A 400V	MIC
		W04M		Диодный мост 0,5A 400V	KINGTRONICS
		W04M		Диодный мост 0,5A 400V	GALAXY ME
		W04M		Диодный мост 0,5A 400V	LGE	24	9.30
		W04M		Диодный мост 0,5A 400V	HOTTECH
		W06M		Диодный мост 0,5A 600V	TAIWAN SEMICONDUCTOR
		W06M		Диодный мост 0,5A 600V	DC COMPONENTS	39	9.37
		W06M		Диодный мост 0,5A 600V	GULF SEMICONDUCTOR
		W06M		Диодный мост 0,5A 600V	MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
		W06M		Диодный мост 0,5A 600V	MICRO SEMICONDUCTOR
		W06M		Диодный мост 0,5A 600V	SYMBOL
		W06M		Диодный мост 0,5A 600V	GALAXY
		W06M		Диодный мост 0,5A 600V	DC COMPONENTS
		W06M		Диодный мост 0,5A 600V	GULF SEMICONDUCTOR	385
		W06M		Диодный мост 0,5A 600V	MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
		W06M		Диодный мост 0,5A 600V	MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
		W06M		Диодный мост 0,5A 600V	SYMBOL ELECTRONICS	275
		W06M		Диодный мост 0,5A 600V	MICROSEMI CORP
		W06M		Диодный мост 0,5A 600V	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		W06M		Диодный мост 0,5A 600V	КИТАЙ
		W06M		Диодный мост 0,5A 600V		6 556	6.97
		W06M		Диодный мост 0,5A 600V	GALAXY ME
		W06M		Диодный мост 0,5A 600V	YJ
		W06M		Диодный мост 0,5A 600V	MERRYELC	2 160	8.17

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		LM7812CT		Линейный СН (1A, 12V, -40°C ~ 125°C, 14.5 ~ 27 V, 1 2,4A ) точность вых напр ±2%	FAIR
		LM7812CT		Линейный СН (1A, 12V, -40°C ~ 125°C, 14.5 ~ 27 V, 1 2,4A ) точность вых напр ±2%		7	102.06
		LM7812CT		Линейный СН (1A, 12V, -40°C ~ 125°C, 14.5 ~ 27 V, 1 2,4A ) точность вых напр ±2%	FAIRCHILD
		LM7812CT		Линейный СН (1A, 12V, -40°C ~ 125°C, 14.5 ~ 27 V, 1 2,4A ) точность вых напр ±2%	FAIRCHILD
		LM7812CT		Линейный СН (1A, 12V, -40°C ~ 125°C, 14.5 ~ 27 V, 1 2,4A ) точность вых напр ±2%	Fairchild Semiconductor
		LM7812CT		Линейный СН (1A, 12V, -40°C ~ 125°C, 14.5 ~ 27 V, 1 2,4A ) точность вых напр ±2%	FSC
		LM7812CT		Линейный СН (1A, 12V, -40°C ~ 125°C, 14.5 ~ 27 V, 1 2,4A ) точность вых напр ±2%	ONS
		LM7812CT		Линейный СН (1A, 12V, -40°C ~ 125°C, 14.5 ~ 27 V, 1 2,4A ) точность вых напр ±2%	ONS-FAIR
		LM7812CT		Линейный СН (1A, 12V, -40°C ~ 125°C, 14.5 ~ 27 V, 1 2,4A ) точность вых напр ±2%	ISC	711	32.21
		LM7812CT		Линейный СН (1A, 12V, -40°C ~ 125°C, 14.5 ~ 27 V, 1 2,4A ) точность вых напр ±2%	HGSEMI	592	17.29
		LM7812CT		Линейный СН (1A, 12V, -40°C ~ 125°C, 14.5 ~ 27 V, 1 2,4A ) точность вых напр ±2%	4-7 НЕДЕЛЬ	127
		АЛ307БМ		Cветодиод красный, круглый, матовый 5мм, 0.9мКд, 2В		1 092	43.06
		АЛ307БМ		Cветодиод красный, круглый, матовый 5мм, 0.9мКд, 2В	ПЛАНЕТА СИД
		АЛ307БМ		Cветодиод красный, круглый, матовый 5мм, 0.9мКд, 2В	СТАРТ	6 214	12.60
		АЛ307БМ		Cветодиод красный, круглый, матовый 5мм, 0.9мКд, 2В	ПЛАНЕТА-СИД	2	42.00
		АЛ307БМ		Cветодиод красный, круглый, матовый 5мм, 0.9мКд, 2В	ПРОТОН
		АЛ307БМ		Cветодиод красный, круглый, матовый 5мм, 0.9мКд, 2В	RUS
		АЛ307БМ		Cветодиод красный, круглый, матовый 5мм, 0.9мКд, 2В	ПЛАНЕТА
		КП303В		Транзистор к кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ...			37.48
		КП303В		Транзистор к кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ...	ФОТОН
		КП303В		Транзистор к кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ...	АЛЕКСАНДРОВ
		КП303В		Транзистор к кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ...	АЛЕКСАНДРОВСК
		КП303В		Транзистор к кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ...	RUS
		КТ3102А		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный		32	220.80
		КТ3102А		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3102А		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный	ДАЛЕКС
		КТ3102А		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный	ООО "НПК"ДАЛЕКС" Г. АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3102А		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный	АЛЕКСАНДР
		КТ3102А		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный	RUS
		КТ3102А		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный	ЭЛЕКС	25	299.63
		КТ 3107 А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...	RUS

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"