|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
IRFR5305 |
|
Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFR5305 |
|
Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...
|
|
3 920
|
22.48
|
|
|
|
IRFR5305 |
|
Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
6
|
|
|
|
|
IRFR5305 |
|
Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRFR5305 |
|
Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...
|
IR/VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFR5305 |
|
Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...
|
SLKOR
|
14 740
|
18.83
|
|
|
|
IRFR5305 |
|
Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...
|
JSMICRO
|
3 730
|
23.20
|
|
|
|
IRFR5305 |
|
Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...
|
EVVO
|
4 694
|
22.51
|
|
|
|
LB11880 |
|
Контроллер
|
SANYO
|
|
|
|
|
|
LB11880 |
|
Контроллер
|
SAN
|
|
|
|
|
|
LB11880 |
|
Контроллер
|
|
|
157.68
|
|
|
|
LB11880 |
|
Контроллер
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
LB11880 |
|
Контроллер
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
337
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS
|
266
|
32.13
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
UTC
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
|
32
|
14.76
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
5
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST1
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
HGSEMI
|
3 724
|
11.53
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
552
|
|
|
|
|
TDA8567Q |
|
УHЧ 4x25W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x25W, Gv=26dB
|
NXP
|
|
|
|
|
|
TDA8567Q |
|
УHЧ 4x25W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x25W, Gv=26dB
|
PHILIPS
|
8
|
680.40
|
|
|
|
TDA8567Q |
|
УHЧ 4x25W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x25W, Gv=26dB
|
|
8
|
454.86
|
|
|
|
TDA8567Q |
|
УHЧ 4x25W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x25W, Gv=26dB
|
NXP
|
|
|
|
|
|
TDA8567Q |
|
УHЧ 4x25W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x25W, Gv=26dB
|
СИНГАПУР
|
|
|
|
|
|
TDA8567Q |
|
УHЧ 4x25W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x25W, Gv=26dB
|
1
|
|
|
|
|
|
TDA8567Q |
|
УHЧ 4x25W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x25W, Gv=26dB
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
671
|
|
|
|
|
VND14NV04-E |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
3
|
140.12
|
|
|
|
VND14NV04-E |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
VND14NV04-E |
|
|
|
|
141.80
|
|
|
|
VND14NV04-E |
|
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|