Версия для печати
Технические характеристики VND14NV04-E

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	OMNIFET II™
Тип	Low Side
Тип входа	Non-Inverting
Число выходов	1
Сопротивление (On-State)	35 mOhm
Ток выходной / канал	7A
Ток - выходной (пиковое значение)	18A
Рабочая температура	-40°C ~ 150°C
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

Драйверы MOSFET (внутреннее переключение)

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		IRFR5305		Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFR5305		Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...		3 880	22.48
		IRFR5305		Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	6
		IRFR5305		Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...	INFINEON
		IRFR5305		Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...	IR/VISHAY
		IRFR5305		Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...	SLKOR	14 660	18.72
		IRFR5305		Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...	JSMICRO	1 490	23.07
		IRFR5305		Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...	EVVO	4 354	22.40
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	NEC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS	266	32.13
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	UTC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА		32	14.76
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTRONICS
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS SEMI	5
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	Fairchild Semiconductor
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	КИТАЙ
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST1
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRO
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	HGSEMI	3 720	11.46
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	4-7 НЕДЕЛЬ	552
		TDA8567Q		УHЧ 4x25W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x25W, Gv=26dB	NXP
		TDA8567Q		УHЧ 4x25W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x25W, Gv=26dB	PHILIPS	8	680.40
		TDA8567Q		УHЧ 4x25W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x25W, Gv=26dB		8	454.86
		TDA8567Q		УHЧ 4x25W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x25W, Gv=26dB	NXP
		TDA8567Q		УHЧ 4x25W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x25W, Gv=26dB	СИНГАПУР
		TDA8567Q		УHЧ 4x25W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x25W, Gv=26dB	1
		TDA8567Q		УHЧ 4x25W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x25W, Gv=26dB	4-7 НЕДЕЛЬ	671
		TL783CKC			TEXAS INSTRUMENTS
		TL783CKC			TEXAS
		TL783CKC					290.32
		TL783CKC			КИТАЙ
		TL783CKC			TEXAS INSTRUMENTS	19
		TL783CKC			4-7 НЕДЕЛЬ	522
		ТЕРМОУСАДКА КЛЕЕВАЯ Ф9.5 КР

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"