| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
6
|
8.89
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC
|
250 710
|
2.23
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DC COMPONENTS
|
44 717
|
1.17
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
|
47 671
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
325
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
4 345
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
27 200
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
3 467
|
1.70
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
INFINEON
|
800
|
5.47
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECH
|
751 797
|
1.10
>100 шт. 0.55
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ARK
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KLS
|
426
|
1.15
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NEXPERIA
|
134 222
|
1.11
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SEMTECH
|
220
|
1.23
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PJ
|
6 369
|
1.07
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE
|
1 710 678
|
0.87
>500 шт. 0.29
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YJ
|
631 093
|
1.59
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JSCJ
|
157 160
|
1.65
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR
|
300 000
|
1.29
>500 шт. 0.43
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SUNTAN
|
512
|
1.11
>500 шт. 0.37
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JINGDAO
|
10 784
|
1.20
>500 шт. 0.40
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECCN
|
1 710
|
1.70
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
CJ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEEN SIDE
|
178 268
|
1.05
>500 шт. 0.35
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
2138
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
4334
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ASEMI
|
227 421
|
1.20
>500 шт. 0.40
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
19480
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
22054
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
643
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
1054
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
543
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGZHOUYANGJIEEL
|
594 400
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
8 000
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
|
40
|
1.28
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
HOTTECH
|
5
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
YIXING
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
RUME
|
11 600
|
1.04
>100 шт. 0.52
|
|
|
|
DB106S |
|
Диодный мост 1А 800В DB-1S
|
DC COMPONENTS
|
1 966
|
18.14
|
|
|
|
DB106S |
|
Диодный мост 1А 800В DB-1S
|
RECTRON
|
|
|
|
|
|
DB106S |
|
Диодный мост 1А 800В DB-1S
|
|
4 320
|
3.54
|
|
|
|
DB106S |
|
Диодный мост 1А 800В DB-1S
|
RECTRON
|
|
|
|
|
|
DB106S |
|
Диодный мост 1А 800В DB-1S
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
DB106S |
|
Диодный мост 1А 800В DB-1S
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
DB106S |
|
Диодный мост 1А 800В DB-1S
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
DB106S |
|
Диодный мост 1А 800В DB-1S
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
DB106S |
|
Диодный мост 1А 800В DB-1S
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
DB106S |
|
Диодный мост 1А 800В DB-1S
|
KLS
|
|
|
|
|
|
DB106S |
|
Диодный мост 1А 800В DB-1S
|
COSMO
|
|
|
|
|
|
DB106S |
|
Диодный мост 1А 800В DB-1S
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
DB106S |
|
Диодный мост 1А 800В DB-1S
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
DB106S |
|
Диодный мост 1А 800В DB-1S
|
SEP
|
56
|
2.63
|
|
|
|
DB106S |
|
Диодный мост 1А 800В DB-1S
|
273
|
|
|
|
|
|
DB106S |
|
Диодный мост 1А 800В DB-1S
|
71
|
|
|
|
|
|
IRFR3410 |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFR3410 |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
|
1 760
|
36.33
|
|
|
|
IRFR3410 |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRFR3410 |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
EVVO
|
990
|
21.97
|
|
|
|
VS-MUR1520 |
|
Диод выпрямительный для монтажа в отв., ультра быстрый 5 A, 1000 В
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
VS-MUR1520 |
|
Диод выпрямительный для монтажа в отв., ультра быстрый 5 A, 1000 В
|
|
|
116.92
|
|