IRFL4310PBF

Версия для печати

Технические характеристики IRFL4310PBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	200 mOhm @ 1.6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	1.6A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	330pF @ 25V
Power - Max	1W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-261-4, TO-261AA
Корпус	SOT-223

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BYV26E-TAP	Диод универсальный 1000В, 1A / 30A, SOD57	VISHAY
BYV26E-TAP	Диод универсальный 1000В, 1A / 30A, SOD57
DZ23C4V7-7-F		DIODES
DZ23C4V7-7-F				100.00
DZ23C4V7-7-F		DIODES INC.
DZ23C4V7-7-F		Diodes Inc
IR4427S	Драйвер нижнего ключа x2. Uвых=6-20В, Iвых=1.5А/1.5А, t(on/off)= 85/65мкс	INTERNATIONAL RECTIFIER
IR4427S	Драйвер нижнего ключа x2. Uвых=6-20В, Iвых=1.5А/1.5А, t(on/off)= 85/65мкс			117.24
IR4427S	Драйвер нижнего ключа x2. Uвых=6-20В, Iвых=1.5А/1.5А, t(on/off)= 85/65мкс	INTERNATIONAL RECTIFIER
IR4427S	Драйвер нижнего ключа x2. Uвых=6-20В, Iвых=1.5А/1.5А, t(on/off)= 85/65мкс	ТАИЛАНД
IR4427S	Драйвер нижнего ключа x2. Uвых=6-20В, Iвых=1.5А/1.5А, t(on/off)= 85/65мкс	INFINEON
IR4427S	Драйвер нижнего ключа x2. Uвых=6-20В, Iвых=1.5А/1.5А, t(on/off)= 85/65мкс	4-7 НЕДЕЛЬ	212
IRF530S	Hexfet® power mosfet	VISHAY
IRF530S	Hexfet® power mosfet		6	108.00
IRF530S	Hexfet® power mosfet	Vishay/Siliconix
IRF530S	Hexfet® power mosfet	INTERNATIONAL RECTIFIER
RY611005		TE Connectivity
RY611005		TYCO
RY611005		TE
RY611005