Версия для печати
Технические характеристики IRF530S

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	160 mOhm @ 8.4A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	14A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	26nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	670pF @ 25V
Power - Max	3.7W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

IRF530S (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET Производитель: Vishay IRF530S datasheet 165.7 Кб

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		DB106S		Диодный мост 1А 800В DB-1S	DC COMPONENTS	1 371	11.54
		DB106S		Диодный мост 1А 800В DB-1S	RECTRON
		DB106S		Диодный мост 1А 800В DB-1S		8 480	3.73
		DB106S		Диодный мост 1А 800В DB-1S	RECTRON
		DB106S		Диодный мост 1А 800В DB-1S	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		DB106S		Диодный мост 1А 800В DB-1S	KINGTRON
		DB106S		Диодный мост 1А 800В DB-1S	КИТАЙ
		DB106S		Диодный мост 1А 800В DB-1S	KINGTRONICS
		DB106S		Диодный мост 1А 800В DB-1S	MULTICOMP
		DB106S		Диодный мост 1А 800В DB-1S	KLS
		DB106S		Диодный мост 1А 800В DB-1S	COSMO
		DB106S		Диодный мост 1А 800В DB-1S	GALAXY ME
		DB106S		Диодный мост 1А 800В DB-1S	HOTTECH
		DB106S		Диодный мост 1А 800В DB-1S	SEP	218	3.62
		IR4427S		Драйвер нижнего ключа x2. Uвых=6-20В, Iвых=1.5А/1.5А, t(on/off)= 85/65мкс	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IR4427S		Драйвер нижнего ключа x2. Uвых=6-20В, Iвых=1.5А/1.5А, t(on/off)= 85/65мкс			117.24
		IR4427S		Драйвер нижнего ключа x2. Uвых=6-20В, Iвых=1.5А/1.5А, t(on/off)= 85/65мкс	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IR4427S		Драйвер нижнего ключа x2. Uвых=6-20В, Iвых=1.5А/1.5А, t(on/off)= 85/65мкс	ТАИЛАНД
		IR4427S		Драйвер нижнего ключа x2. Uвых=6-20В, Iвых=1.5А/1.5А, t(on/off)= 85/65мкс	INFINEON
		IR4427S		Драйвер нижнего ключа x2. Uвых=6-20В, Iвых=1.5А/1.5А, t(on/off)= 85/65мкс	4-7 НЕДЕЛЬ	212
		IRF7103		Сдвоенный N-канальный полевой транзистор (Vds=50V, Id=3.0A@t=25C, 2.3A@t=70C)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF7103		Сдвоенный N-канальный полевой транзистор (Vds=50V, Id=3.0A@t=25C, 2.3A@t=70C)			47.92
		IRF7103		Сдвоенный N-канальный полевой транзистор (Vds=50V, Id=3.0A@t=25C, 2.3A@t=70C)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF7103		Сдвоенный N-канальный полевой транзистор (Vds=50V, Id=3.0A@t=25C, 2.3A@t=70C)	ТАИЛАНД
		IRF7103		Сдвоенный N-канальный полевой транзистор (Vds=50V, Id=3.0A@t=25C, 2.3A@t=70C)	INFINEON
		IRF7301		Сдвоенный N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=5.2A@t=25C, Id=4.1A@t=70C)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF7301		Сдвоенный N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=5.2A@t=25C, Id=4.1A@t=70C)			62.40
		IRF7301		Сдвоенный N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=5.2A@t=25C, Id=4.1A@t=70C)	INTERNATIONAL RECTIFIER	225
		IRF7301		Сдвоенный N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=5.2A@t=25C, Id=4.1A@t=70C)	ТАИЛАНД
		IRF7301		Сдвоенный N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=5.2A@t=25C, Id=4.1A@t=70C)	INFINEON
		RGP10J			FAIR
		RGP10J			GENERAL SEMICONDUCTOR
		RGP10J			FAIRCHILD
		RGP10J			FAIRCHILD
		RGP10J			GENERAL SEMICONDUCTOR	5 141
		RGP10J
		RGP10J			Fairchild Semiconductor

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"