Версия для печати
Технические характеристики RC1206JR-07820KL

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	RC1206
Сопротивление (Ом)	820K
Мощность (Ватт)	0.25W, 1/4W
Composition	Thick Film
Температурный коэфициент	±100ppm/°C
Допустимые отклонения емкости	±5%
Size / Dimension	0.122" L x 0.063" W (3.10mm x 1.60mm)
Высота	0.026" (0.65mm)
Number of Terminations	2
Корпус (размер)	1206 (3216 Metric)
Tolerance	±5%

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Резисторы

 » 

Для поверхностного монтажа

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		293D106X9020B2TE3			Vishay/Sprague
		293D106X9020B2TE3			VISHAY	34 456	10.57
		293D106X9020B2TE3
		293D106X9020B2TE3			VISНAY
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	NXP	2 648	1.79
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	PHILIPS
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	FAIR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GENERAL SEMICONDUCTOR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	DC COMPONENTS	9 469	2.98
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ON SEMICONDUCTOR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	DIOTEC	94 179	1.68  >100 шт.   0.84
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ES
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	FAIRCHILD
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GALAXY
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	FAIRCHILD
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GENERAL SEMICONDUCTOR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	NXP
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	PHILIPS	486
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	STMicroelectronics
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	PHILIPS SEMIC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	КИТАЙ
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	INFINEON TECH
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ON SEMIC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GALAXY ME
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	HOTTECH	351 710	1.62  >100 шт.   0.81
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...		35	3.70
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	LRC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	KLS
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	KOME	1	1.60
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	SUNTAN	2 609	1.62  >100 шт.   0.81
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	YANGJIE (YJ)
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	NEX-NXP	112	3.10
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	YJ	110 580	1.59
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	TRR	50 400	1.26  >500 шт.   0.42
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	XXW	152 028	1.41  >500 шт.   0.47
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	CTK
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	KEEN SIDE	4 160	1.38  >500 шт.   0.46
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	MERRYELC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	YANGJIE	1 732	1.26  >500 шт.   0.42
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	2375
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	935
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	DAYA	4 800	1.25
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	KEXIN	4 800	1.25
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ZITEK	4 000	1.25
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	3000
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	RUME	74 400	1.26  >500 шт.   0.42
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	SLKOR	21 600	1.47  >500 шт.   0.49
		CC1206KKX7R9BB224		Керамический ЧИП конденсатор 0.22 мкФ X7R (10%) 1206	YAGEO	87 494	1.03
		CC1206KKX7R9BB224		Керамический ЧИП конденсатор 0.22 мкФ X7R (10%) 1206			13.36
		CC1206KKX7R9BB224		Керамический ЧИП конденсатор 0.22 мкФ X7R (10%) 1206	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		CC1206KKX7R9BB224		Керамический ЧИП конденсатор 0.22 мкФ X7R (10%) 1206	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		RC1206JR-0720KL			YAGEO	141 513	0.80  >1000 шт.   0.16
		RC1206JR-0720KL			YAGEO
		RC1206JR-0720KL
		US1D			DIC
		US1D			SMK	16	3.60
		US1D			GENERAL SEMICONDUCTOR
		US1D			LITE ON OPTOELECTRONICS
		US1D			DC COMPONENTS	7 773	1.57
		US1D			DIOTEC
		US1D			SEMICRON
		US1D				14 000	1.82  >100 шт.   0.91
		US1D			GENERAL SEMICONDUCTOR	4 400
		US1D			LITE ON OPTOELECTRONICS
		US1D			YJ	72 255	1.82  >100 шт.   0.91
		US1D			КИТАЙ
		US1D			MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
		US1D			HOTTECH	63 619	1.03
		US1D			PANJIT	332	7.18
		US1D			SUNTAN	48	1.64
		US1D			YANGJIE
		US1D			YANGJIE (YJ)
		US1D			ASEMI	80	1.42  >100 шт.   0.71
		US1D			SUNMATE	4 080	1.20  >100 шт.   0.60
		US1D			YANGZHOU YANGJIE
		US1D			KEEN SIDE	3 920	1.18  >100 шт.   0.59
		US1D			MIC
		US1D			293

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"