| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) (Ohms) | 1K |
| Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 10K |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Power - Max | 250mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | TO-236AB |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
10.00 MHZ HC-49SM |
|
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
10.00 MHZ HC-49SM |
|
|
ТАЙВАНЬ
|
312
|
15.50
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
NXP
|
1 789
|
2.83
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
CHENMKO ENTERPRISE
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
PHILIPS
|
532
|
4.91
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
DC COMPONENTS
|
65 509
|
1.36
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
DIOTEC
|
551
|
2.75
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
LI-SION TECHNOLOGY
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
|
559
|
7.40
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
CHENMKO ENTERPRISE CO, LTD
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
FAIRCHILD
|
4 762
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
1 848
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
NXP
|
3 192
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
OTHER
|
4 841
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
MICROSEMI CORP
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
HOTTECH
|
39 514
|
1.14
>100 шт. 0.57
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
KOME
|
2
|
2.86
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
SUNTAN
|
1
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
1 298
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
SEMTECH
|
1
|
2.32
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
WUXI XUYANG
|
486
|
1.97
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
YJ
|
640 352
|
1.76
>100 шт. 0.88
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
CJ
|
804
|
1.47
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
1
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
JSCJ
|
121 024
|
1.04
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
JINGDAO
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
JSMICRO
|
78 359
|
1.84
>100 шт. 0.92
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
KEEN SIDE
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
MERRYELC
|
|
|
|
|
|
|
MBR0560 |
|
|
MCC
|
|
|
|
|
|
|
MBR0560 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
MBR0560 |
|
|
JSCJ
|
14 799
|
1.71
|
|
|
|
|
MPS-580ND-G |
|
|
SWITRONIC
|
341
|
18.74
|
|
|
|
|
MPS-580ND-G |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
MPS-580ND-G |
|
|
SWITR
|
|
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
TSC
|
|
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
FAIRCHILD
|
1 696
|
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
Littelfuse Inc
|
|
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
MICROSEMI CORP
|
24
|
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
LITTELFUSE
|
1 221
|
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
LITTELFUSE
|
|
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
LTL
|
|
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
|
628
|
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
ONS
|
|
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR
|
1 785
|
6.30
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
|
11 180
|
3.41
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
BRIGHTKING
|
|
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
JJM
|
2
|
4.47
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
YOUTAI
|
12 808
|
1.68
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
HOTTECH
|
9 600
|
4.13
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
ONSEMI
|
|
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
YJ
|
5 661
|
5.02
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
UMW
|
8 800
|
3.10
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
1
|
|
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
KLS
|
8
|
6.55
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
SUNTAN
|
29
|
3.45
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
KEEN SIDE
|
30 596
|
2.63
|
|
|
|
SMBJ24A |
|
Защитный диод, 24 V, 600 W, Iимп = 15.2 A
|
MERRYELC
|
9 227
|
2.14
|
|