|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
74ACT00N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), И-НЕ 4 х 2
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
74ACT00N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), И-НЕ 4 х 2
|
|
|
16.32
|
|
|
|
74ACT00N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), И-НЕ 4 х 2
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
74ACT00N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), И-НЕ 4 х 2
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
74ACT00N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), И-НЕ 4 х 2
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
73
|
|
|
|
|
7805C(TO-220) |
|
Стабилизатор положительного напряжения
|
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
VISHAY
|
28
|
44.15
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
|
1 416
|
24.52
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
IR/VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
MINOS
|
1 775
|
27.99
|
|
|
|
MAX4420CPA+ |
|
Быстродействующий, 6А, одноканальный драйвер MOSFET
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
MAX4420CPA+ |
|
Быстродействующий, 6А, одноканальный драйвер MOSFET
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
MAX4420CPA+ |
|
Быстродействующий, 6А, одноканальный драйвер MOSFET
|
Maxim Integrated Products
|
|
|
|
|
|
MAX4420CPA+ |
|
Быстродействующий, 6А, одноканальный драйвер MOSFET
|
MAX
|
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
|
576
|
11.96
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
ЗПП
|
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
МИНСК
|
6 539
|
16.80
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
БРЯНСК
|
480
|
8.40
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
11.34
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
ТРАНЗИСТОР
|
1 280
|
48.56
|
|