Версия для печати
Технические характеристики IRF720

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.8 Ohm @ 2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	400V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.3A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	20nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	410pF @ 25V
Power - Max	50W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

IRF72x N-CHANNEL POWER MOSFETS Также в этом файле: IRF720 Производитель: Samsung semiconductor //www.samsung.com IRF720 datasheet 277.47Kb 5стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BUZ76			SIEMENS
		BUZ76			SIEMENS
		BUZ76
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	ST MICROELECTRONICS
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	VISHAY
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	SGS
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	MOTOROLA
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	SAMSUNG
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)		186	101.75
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	MOTOROLA
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	SAMSUNG
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	SGS THOMSON
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	Vishay/Siliconix
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	STMicroelectronics
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	КИТАЙ
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	1
		КП751А
		КП751А1
		КП751А1
		КП751А1			ИНТЕГРАЛ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		NE556N			NEC
		NE556N			ST MICROELECTRONICS	266	38.26
		NE556N					33.68
		NE556N			ST MICROELECTRONICS SEMI
		NE556N			STMicroelectronics
		NE556N			Texas Instruments
		NE556N			TEXAS INSTRUMENTS	16
		NE556N			КИТАЙ
		NE556N			ST MICROELECTR
		NE556N			TEXAS
		NE556N			ST1
		NE556N			ST MICROELECTRO
		NE556N			TEXAS INSTRUMEN
		NE556N			4-7 НЕДЕЛЬ	309
		NE556N			HGSEMI
		561ТМ2		2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В		800	41.38
		561ТМ2		2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В	НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
		561ТМ2		2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В	НОВОСИБИРСК
		561ТМ2		2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В	ХАБАРОВСК
		ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 6.4 ЖЁЛТ. 0.5М
		ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 6.4 КРАСН. 0.5М
		ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 6.4 ФИОЛ. 0.5М

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"